[发明专利]半导体晶片的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶片的制造方法。

背景技术

通常，对半导体晶片的表面和背面进行的镜面研磨被分成多个阶段来实施。具体地，大致区分为以半导体晶片的高平坦度化为目的的粗研磨和以表面粗糙度降低为目的的精加工研磨。

此外，不仅对半导体晶片的表面和背面实施镜面研磨，出于防止来自倒角部的粉尘产生的目的，还对倒角部实施镜面研磨。

粗研磨是通过将半导体晶体收纳在载体（carrier）内并对半导体晶片的表面和背面同时进行研磨的双面同时研磨来进行的。在该双面同时研磨中，由于半导体晶片与载体内周面的接触，在倒角部产生损伤、压痕。因此，倒角部的镜面研磨兼带除去所产生的损伤、压痕，通常是在粗研磨之后被实施的。

可是，由于在用于倒角部的镜面研磨的研磨垫中使用软质的砂布，所以存在以该软质的砂布不仅绕入到倒角部还绕入到晶片表面侧的状态进行研磨的问题（之后，也称为过度抛光（over–polish）。）。当该过度抛光发生时，产生晶片外周部的厚度变薄的问题（之后，也称为边缘辗轧（edge roll–off）。）。

作为防止以上述过度抛光为起因的边缘辗轧的恶化的方法，公开了如下半导体晶片的制造方法（例如，参照专利文献1。）：在双面研磨工序之后，在半导体晶片表面和背面形成树脂制的保护膜，进行镜面倒角工序，之后，除去树脂制的保护膜。在专利文献1中，利用在半导体晶片的表面和背面形成的树脂制的保护膜来抑制镜面倒角工序时的过度抛光，由此，防止边缘辗轧。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006–237055号公报。

发明内容

发明要解决的课题

可是，在上述专利文献1所示的方法中，分别需要利用树脂的保护膜形成和用于除去树脂制保护膜的洗涤，因此，存在招致成本增加的问题。

此外，当用于形成保护膜的树脂不仅影响到表面和背面还影响到倒角部时，倒角部在镜面研磨工序中的研磨被部分或整体地抑制。因此，为了使树脂不影响到倒角部，需要仅在晶片表面和背面正确地形成保护膜，但是，技术上是困难的。

进而，在用于除去树脂制保护膜的洗涤中，存在暂时除去了的树脂再次附着、树脂制保护膜未被完全除去等问题。

本发明的目的在于，提供一种能够提高半导体晶片表面的外周部的平坦度的半导体晶片的制造方法。

用于解决课题的方案

通常，在粗研磨和镜面精加工研磨中，使用磨粒尺寸、配合成分不同的研磨液。因此，对粗研磨后的半导体晶片进行洗涤处理，使得不将残留在粗研磨后的半导体晶片表面的磨粒、研磨液带入到后继的镜面精加工研磨中。在洗涤处理中，使用包含氨水和过氧化氢的洗涤液（SC–1）等。

根据本发明者们的实验明确了：当在对粗研磨后的半导体晶片进行洗涤处理之后对倒角部进行镜面倒角研磨、之后对表面或者表面和背面进行镜面精加工研磨时，存在半导体晶片表面的外周部的平坦度恶化的问题。

对其原因进行专心研究后的结果是，得到了以下的见解。

当对半导体晶片进行SC–1洗涤等洗涤处理时，在洗涤处理后的半导体晶片的整个表面不可避免地形成厚度为埃程度的氧化膜。

另一方面，近年来，晶片倒角部的镜面研磨的技术开发也在进步，通过所使用的砂布、浆的种类等的改良而被改善到几乎不产生由过度抛光造成的边缘辗轧产生的问题的状况。

可是，如图8A所示，在通过洗涤处理而形成的极薄的氧化膜中，由于镜面倒角研磨造成的过度抛光，在半导体晶片表面的外周部存在的氧化膜被除去，形成露出了硅面的半导体晶片。

当在该状态下进行以下的镜面精加工研磨时，如图8B所示，在半导体晶片表面、在氧化膜存在的部分和不存在的部分产生研磨速率的差异。而且，显然，在氧化膜不存在的外周部的研磨进行快，从外周部先进行研磨，因此，边缘辗轧恶化。

在本发明的半导体晶片的制造方法中，所述半导体晶片的制造方法进行：粗研磨工序，对半导体晶片的表面和背面进行粗研磨；镜面倒角研磨工序，对所述粗研磨后的半导体晶片的倒角部进行镜面研磨；以及镜面精加工研磨工序，对所述镜面倒角后的半导体晶片的表面或者表面和背面进行镜面研磨，所述制造方法的特征在于，在所述镜面倒角研磨工序之后，在所述半导体晶片的整个表面形成氧化膜，之后，进行所述镜面精加工研磨工序。