[发明专利]发光器件、发光器件包装和光设备

说明书

技术领域

本实施方式涉及一种发光器件、发光器件包装和光设备。

背景技术

发光二极管(LED)已经被广泛用作一种发光器件。所述LED通过使用复合半导体的特性将电信号转化成光的形式如近红外光、超紫外光和可见光。

随着发光器件光效率的提高，已经将LED用于各种领域如显示装置和照明电器中。

发明内容

技术问题

本实施方式实施方式提供一种能够提高光提取效率的发光器件、发光器件包装和光设备。

技术方案

根据本实施方式的发光器件包括：发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；在所述发光结构下的反射电极；和电极，所述电极设置在所述第一导电半导体层内并包含导电离子植入层。

根据本实施方式的发光器件包装包括：主体；在所述主体上的发光器件；以及电连接到所述发光器件的第一引线电极和第二引线电极，其中所述发光器件包括：发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；在所述发光结构下的反射电极；和电极，所述电极设置在所述第一导电半导体层内并包含导电离子植入层。

根据本实施方式的光设备包括：基板；在所述基板上的发光器件；和光学构件，所述光学构件充当发射自所述发光器件的光的光学通道，其中所述发光器件包括：发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；在所述发光结构下的反射电极；和电极，所述电极设置在所述第一导电半导体层内并包含导电离子植入层。

有益效果

根据本实施方式的发光器件、发光器件包装和光设备能够提高光提取效率。

附图说明

图1是显示根据本实施方式的发光器件的视图。

图2是显示根据本实施方式的发光器件的电极部和垫部的视图。

图3～7是显示用于制造根据本实施方式的发光器件的方法的视图。

图8和9是显示根据本实施方式的改进的发光器件的视图。

图10是显示根据本实施方式的发光器件包装的视图。

图11是显示根据本实施方式的显示装置的视图。

图12是显示根据本实施方式的显示装置的另一个实例的视图。

图13～15是显示根据本实施方式的发光装置的视图。

图16和17是显示根据本实施方式的发光装置的另一个实例的视图。

具体实施方式

在本实施方式的说明书中，应理解，当指层(或膜)、区域、图案或结构在另一个基板、另一个层(或膜)、另一个区域、另一个垫或另一个图案“上”或“下”时，其能够“直接”或“间接”地在其他基板、层(或膜)、区域、垫或图案之上，或还可存在一个以上的插入层。已经参考附图对所述层的这种位置进行了描述。

为了方便或清晰，示于附图中的各个层的厚度和尺寸可以放大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸不完全反应实际尺寸。

下文中，将参考附图对根据本实施方式的发光器件、发光器件包装、光设备和制造所述发光器件的方法进行详细说明。

图1是显示根据本实施方式的发光器件的视图。

如图1中所示，根据本实施方式的发光器件可以包括发光结构10、反射电极17和电极80。

发光结构10可以包括第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13。有源层12可以设置在第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间。有源层12可以设置在第一导电半导体层11之下，且第二导电半导体层13可以设置在有源层12之下。

例如，第一导电半导体层11可以包含掺杂有充当第一导电掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层，且第二导电半导体层13可以包含掺杂有充当第二导电掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。另外，第一导电半导体层11可以包含P型半导体层，且第二导电半导体层13可以包含N型半导体层。

例如，第一导电半导体层11可以包含N型半导体层。第一导电半导体层11可以通过使用复合半导体来实现。第一导电半导体层11可以通过使用II～VI族复合半导体或III～V族复合半导体来实现。