[发明专利]光半导体装置在审
| 申请号: | 201380029857.X | 申请日: | 2013-06-06 |
| 公开(公告)号: | CN104364922A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
| 发明(设计)人: | 东内智子;高根信明;山浦格;稻田麻希;横田弘 | 申请(专利权)人: | 日立化成株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/52;H01L33/60 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘凤岭;陈建全 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种光半导体装置,其中,具有:
表面形成有镀银层的基板,
键合在所述镀银层上的发光二极管,
围住所述发光二极管的光反射部,
填充于所述光反射部而将所述发光二极管密封的透明密封部,以及
被覆所述镀银层的粘土膜;
所述透明密封部和所述光反射部接合在一起。
2.根据权利要求1所述的光半导体装置,其中,
所述光反射部具备内周面,所述内周面以围住所述发光二极管的方式从所述基板上立起,从而形成收容所述发光二极管的内侧空间;
所述粘土膜被覆所述内周面的一部分;
所述透明密封部与所述内周面的没有被粘土膜被覆的非被覆部接合在一起。
3.根据权利要求2所述的光半导体装置,其中,
所述发光二极管是发出蓝色光的蓝色发光二极管。
4.根据权利要求2或3所述的光半导体装置,其中,
所述非被覆部的面积为所述内周面的面积的1%以上。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的光半导体装置,其中,
所述非被覆部的面积为所述内周面的面积的99%以下。
6.根据权利要求1所述的光半导体装置,其中,
所述光反射部具有内周面和顶面,所述内周面以围住所述发光二极管的方式从所述基板上立起,从而形成收容所述发光二极管的内侧空间,所述顶面与所述内周面邻接,且位于所述内侧空间的外侧;
所述粘土膜被覆所述内周面;
所述透明密封部与所述顶面接合在一起。
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