[发明专利]负性工作厚膜光致抗蚀剂有效

专利信息
申请号: 201380029761.3 申请日: 2013-05-13
公开(公告)号: CN104364279B 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 陈春伟;卢炳宏;刘卫宏;M·A·托克西;金尚徹;S·赖 申请(专利权)人: AZ电子材料卢森堡有限公司
主分类号: C08F220/18 分类号: C08F220/18;G03F7/027;G03F7/033;G03F7/038
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 宓霞
地址: 卢森堡*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 工作 厚膜光致抗蚀剂
【权利要求书】:

1.负性工作光敏性光致抗蚀剂组合物,包含:

a)至少一种包含下式的结构的聚合物:

其中R1-R5独立地为H、F或CH3,R6选自取代的芳基、未取代的芳基、取代的杂芳基和取代的杂芳基,R7为取代或未取代的苄基,R8为直链或支链的C2-C10羟烷基或丙烯酸C2-C10羟烷酯,且R9为酸可裂解基团,v=10-40摩尔%,w=0-35摩尔%,x=0-60摩尔%,y=10-60摩尔%且z存在且范围至多45摩尔%,所述酸可裂解基团选自叔丁基、四氢吡喃-2-基、四氢呋喃-2-基、4-甲氧基四氢吡喃-4-基、1-乙氧基乙基、1-丁氧基乙基、1-丙氧基乙基、3-氧代环己基、2-甲基-2-金刚烷基、2-乙基-2-金刚烷基、8-甲基-8-三环[5.2.1.0 2,6]癸基、1,2,7,7-四甲基-2-降冰片基、2-乙酰氧基薄荷基、1-甲基-1-环己基乙基、4-甲基-2-氧代四氢-2H-吡喃-4-基、2,3-二甲基丁-2-基、2,3,3-三甲基丁-2-基、1-甲基环戊基、1-乙基环戊基、1-甲基环己基、1-乙基环己基、1,2,3,3-四甲基双环[2.2.1]庚-2-基、2-乙基-1,3,3-三甲基双环[2.2.1]庚-2-基、2,6,6-三甲基双环[3.1.1]庚-2-基、2,3-二甲基戊-3-基或3-乙基-2-甲基戊-3-基;

b)一种或多种由光化辐射活化的自由基引发剂,

c)一种或多种能够进行自由基交联的可交联的丙烯酸酯化单体,其中丙烯酸酯官能度大于1,和

d)溶剂。

2.权利要求1所述的负性工作光敏性光致抗蚀剂组合物,其中在将丙烯酸酯单体交联之前所述组合物能够溶解于碱性显影剂水溶液。

3.权利要求1所述的负性工作光敏性光致抗蚀剂组合物,进一步包含至少一种聚合物,所述聚合物包含至少一种含酸单体和任选的苯乙烯的反应产物,或马来酸酐与苯乙烯的反应产物,所述酸酐反应产物进一步用醇部分地酯化。

4.权利要求1所述的负性工作光敏性光致抗蚀剂组合物,其中R6为苯基且R8为2-羟乙基、2-羟丙基、2-羟丁基或2-羟戊基。

5.权利要求1所述的负性工作光敏性光致抗蚀剂组合物,进一步包含一种或多种能够进行自由基交联的基于可交联的丙烯酸酯化硅氧烷或丙烯酸酯化倍半硅氧烷的单体,其中丙烯酸酯官能度大于1。

6.权利要求5所述的负性工作光敏性光致抗蚀剂组合物,其中所述组合物能够在将丙烯酸酯单体交联之前溶解于碱性显影剂水溶液。

7.权利要求5所述的负性工作光敏性光致抗蚀剂组合物,进一步包含至少一种聚合物,所述聚合物包含至少一种含酸单体和任选的苯乙烯的反应产物,或马来酸酐与苯乙烯的反应产物,所述酸酐反应产物进一步用醇部分地酯化。

8.形成负性浮雕图像的方法,包括:

a)通过将权利要求1所述的负性工作光敏性光致抗蚀剂组合物施加于基材上并且干燥而形成负性工作光敏层,

b)将光敏层成像式曝光于光化辐射以形成潜像,和,

c)将未曝光的区域在显影剂中显影,

其中任选地热处理经成像式曝光的光敏层。

9.权利要求8所述的方法,其中所述负性工作光敏性光致抗蚀剂层具有5微米-100微米的经干燥的膜厚。

10.权利要求8所述的方法,其中所述光化辐射具有大于300nm的波长。

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