[发明专利]使用电子显微镜对存在于非真空环境的材料进行分析的系统及方法有效
| 申请号: | 201380029748.8 | 申请日: | 2013-06-05 | 
| 公开(公告)号: | CN104508460B | 公开(公告)日: | 2017-09-12 | 
| 发明(设计)人: | 多夫·夏查尔;拉菲·迪彼丘多 | 申请(专利权)人: | B-纳米股份有限公司 | 
| 主分类号: | G01N21/47 | 分类号: | G01N21/47 | 
| 代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 | 代理人: | 翟羽 | 
| 地址: | 以色列雷*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 使用 电子显微镜 在于 真空 环境 材料 进行 分析 系统 方法 | ||
1.一种使用电子显微镜对存在于非真空环境的材料进行分析的方法,其特征在于:所述方法包含步骤:
通过下述步骤产生一材料的一第一特性频谱:
在一第一非真空环境中将一电子束从一电子显微镜引导至所述材料上,在所述第一非真空环境中所述电子束产生一第一散射量;
收集从所述材料发射出的多个第一X射线;及
对所述第一X射线进行频谱分析;
接着,通过下述步骤产生所述材料的一第二特性频谱:
在一第二非真空环境中将一电子束从所述电子显微镜引导至所述材料上,在所述第二非真空环境中所述电子束产生一第二散射量;
收集从所述材料发射出的多个第二X射线;及
对所述第二X射线进行频谱分析;
比对所述第一特性频谱及第二特性频谱,并指出数个强度随着散射的增加而增长的峰值;
通过消除至少一个强度随着散射的增加而增长的峰值,以便从所述第一特性频谱及第二特性频谱中的至少一个产生所述材料的一散射补偿特性频谱。
2.如权利要求1所述的使用电子显微镜对存在于非真空环境的材料进行分析的方法,其特征在于:所述散射补偿特性频谱包含至少一个强度随着散射的增加而减少的峰值。
3.如权利要求1所述的使用电子显微镜对存在于非真空环境的材料进行分析的方法,其特征在于:所述第一非真空环境包含一第一气体,及所述第二非真空环境包含一第二气体,所述第二气体具有一电子束散射特性与所述第一气体的一电子束散射特性不同。
4.如权利要求1所述的使用电子显微镜对存在于非真空环境的材料进行分析的方法,其特征在于:所述第一非真空环境中与所述材料具有一第一电子束移动距离,及所述第二非真空环境中与所述材料具有一第二电子束移动距离,所述第二电子束移动距离所产生的一电子束散射的量不同于所述第一电子束移动距离所产生的一电子束散射的量。
5.一种使用电子显微镜对存在于非真空环境的材料进行分析的系统,其特征在于,所述系统包含:
一特性频谱产生器,通过下述方式产生一材料的一第一特性频谱及第二特性频谱:
在一第一非真空环境及第二非真空环境中将一电子束从一电子显微镜引导至所述材料上,在所述第一非真空环境及第二非真空环境中所述电子束分别产生一第一散射量及一第二散射量;
在所述第一非真空环境及第二非真空环境中收集从所述材料发射出的X射线;及
在所述第一非真空环境及第二非真空环境中对来自所述材料的X射线进行频谱分析;以及
一散射补偿特性频谱产生器,操作用于:
比对所述第一特性频谱及第二特性频谱,并指出数个强度随着散射的增加而增长的峰值;及
通过消除至少一个强度随着散射的增加而增长的峰值,以便从所述第一特性频谱及第二特性频谱中的至少一个产生所述材料的一散射补偿特性频谱。
6.如权利要求5所述的使用电子显微镜对存在于非真空环境的材料进行分析的系统,其特征在于:所述散射补偿特性频谱包含至少一强度随着散射的增加而减少的峰值。
7.如权利要求5所述的使用电子显微镜对存在于非真空环境的材料进行分析的系统,其特征在于:所述系统还包含一气体供应器,操作用以供应一第一气体至所述第一非真空环境,及供应一第二气体至所述第二非真空环境,所述第二气体具有一电子束散射特性与所述第一气体的一电子束散射特性不同。
8.如权利要求5所述的使用电子显微镜对存在于非真空环境的材料进行分析的系统,其特征在于:所述系统还包含一移动样本固定座,被操作而定位在所述第一非真空环境中与所述材料保持一第一电子束移动距离之处,及定位在所述第二非真空环境中与所述材料保持一第二电子束移动距离之处,所述第二电子束移动距离所产生的一电子束散射的量不同于所述第一电子束移动距离所产生的一电子束散射的量。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于B-纳米股份有限公司,未经B-纳米股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380029748.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





