[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种具有由多层金属膜构成的焊盘构造的半导体装置，其特征在于，包括：

半导体衬底；

第一绝缘膜，设置在所述半导体衬底的表面；

第一金属膜，设置在所述第一绝缘膜上；

第二绝缘膜，设置在所述第一金属膜上；

第一个第二金属膜，设置在所述第二绝缘膜上；

第一通路，连接设置在所述第二绝缘膜的所述第一金属膜与所述第一个第二金属膜；

第三绝缘膜，设置在所述第一个第二金属膜上；

最上层金属膜，设置在所述第三绝缘膜上；

第二通路，连接设置在所述第三绝缘膜的所述第一个第二金属膜与所述最上层金属膜；以及

保护膜，设置在所述最上层金属膜上，并且具有用于露出所述最上层金属膜的表面的一部分的焊盘开口部，

所述第一个第二金属膜为环形状，在所述焊盘开口部之下具有开口部，所述开口部的边缘位于球焊中所使用的球形焊接器用毛细管前端的倒角的外侧，并且所述第一个第二金属膜在所述焊盘开口部的内侧露出既定露出量。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中：所述焊盘开口部及所述开口部均为正方形。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：在设所述露出量为d3时，若设所述焊盘开口部的一边的长度为d0、与所述一边成为相同方向的、所述第一个第二金属膜的所述开口部的一边的长度为d4，则所述露出量满足d3＝（d0－d4）/2的关系。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：若设所述焊盘开口部的一边的长度为d0、所述第一个第二金属膜的位于所述开口部的一边之下的一边的长度为d4、压塌的球的宽度为r2、倒角彼此的宽度为r1，则满足d0＞r2以及d4＞r1的关系。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：还具备截面为矩形或圆形的第二个第二金属膜，在球焊时的所述倒角之下没有所述第二个第二金属膜，所述第二个第二金属膜以不与所述焊盘开口部之下的环形状的所述第一个第二金属膜相接的方式设置在所述焊盘开口部之下。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：还具备截面具有作为多个矩形或圆形的集合的点图案的第二个第二金属膜，在球焊时的所述倒角之下没有所述第二个第二金属膜，所述第二个第二金属膜以不与所述焊盘开口部之下的环形状的所述第一个第二金属膜相接的方式设置在所述焊盘开口部之下。

7.如权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于：所述矩形或圆形的所述第二个第二金属膜，通过所述第二通路与所述最上层金属膜电连接。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第一个第二金属膜具有狭缝。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：还具备设置在所述焊盘开口部之下的元件。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：所述元件为ESD保护元件。

11.一种具有由多层金属膜构成的焊盘构造的半导体装置，其特征在于，包括：

半导体衬底；

第一绝缘膜，设置在所述半导体衬底的表面；

第一金属膜，设置在所述第一绝缘膜上；

第二绝缘膜，设置在所述第一金属膜上；

第一个第二金属膜，设置在所述第二绝缘膜上；

第一通路，连接设置在所述第二绝缘膜的所述第一金属膜与所述第一个第二金属膜；

第三绝缘膜，设置在所述第一个第二金属膜上；

最上层金属膜，设置在所述第三绝缘膜上；

第二通路，连接设置在所述第三绝缘膜的所述第一个第二金属膜与所述最上层金属膜；以及

保护膜，设置在所述最上层金属膜上，并且具有用于露出所述最上层金属膜的表面的一部分的焊盘开口部，

所述第一个第二金属膜为环形状，在所述焊盘开口部之下具有开口部，所述第一个第二金属膜在所述焊盘开口部的内侧露出既定露出量，

所述开口部的边缘位于在所述最上层金属膜的所述焊盘开口部形成的压塌的球所刻的球形焊接器用毛细管前端的倒角的迹线的外侧。