[发明专利]无碱玻璃及其制造方法在审
申请号: | 201380029562.2 | 申请日: | 2013-06-04 |
公开(公告)号: | CN104364215A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 德永博文;小池章夫;西泽学;辻村知之 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | C03C3/112 | 分类号: | C03C3/112;C03C3/118 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 于洁;王海川 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及适合作为各种显示器用基板玻璃、光掩模用基板玻璃、实质上不含有碱金属氧化物且能够浮法成形的无碱玻璃及其制造方法。
背景技术
以往,对于各种显示器用基板玻璃、特别是在表面上形成金属或氧化物薄膜等的显示器用基板玻璃,要求以下所示的特性。
(1)含有碱金属氧化物时,碱金属离子会向薄膜中扩散而使膜特性劣化,因此,要实质上不含有碱金属离子。
(2)在薄膜形成工序中暴露于高温时,为了将玻璃的变形和伴随玻璃的结构稳定化产生的收缩(热收缩)抑制在最低限度,应变点要高。
(3)对半导体形成中使用的各种化学品要具有充分的化学耐久性。特别是对用于SiOx、SiNx的蚀刻的缓冲氢氟酸(BHF,氢氟酸与氟化铵的混合液)以及ITO的蚀刻中使用的含有盐酸的药液、金属电极的蚀刻中使用的各种酸(硝酸、硫酸等)、抗蚀剂剥离液的碱要具有耐久性。
(4)内部和表面要没有缺陷(气泡、波筋、夹杂物、麻坑、伤痕等)。
在上述要求的基础上,近年来还出现了如下所述的状况。
(5)要求显示器的轻量化,期望玻璃本身也是密度小的玻璃。
(6)要求显示器的轻量化,期望基板玻璃的减薄。
(7)除了迄今为止的非晶硅(a-Si)型液晶显示器以外,还制作了热处理温度稍高的多晶硅(p-Si)型液晶显示器(a-Si:约350℃→p-Si:350~550℃)。
(8)为了加快制作液晶显示器的热处理的升温和降温速度而提高生产率或者提高耐热冲击性,要求玻璃的平均热膨胀系数小的玻璃。
另一方面,干法蚀刻得到发展,对耐BHF性的要求减弱。为了使耐BHF性良好,迄今为止的玻璃多使用含有6~10摩尔%的B2O3的玻璃。但是,B2O3存在使应变点降低的倾向。作为不含B2O3或B2O3含量少的无碱玻璃的例子,有如下所述的玻璃。
专利文献1中公开了不含有B2O3的SiO2-Al2O3-SrO玻璃,但熔化所需的温度高,在制造中产生困难。
专利文献2中公开了不含有B2O3的SiO2-Al2O3-SrO结晶玻璃,但熔化所需的温度高,在制造中产生困难。
专利文献3中公开了含有0~3重量%的B2O3的玻璃,但实施例的应变点为690℃以下。
专利文献4中公开了含有0~5摩尔%的B2O3的玻璃,但50~300℃下的平均热膨胀系数超过50×10-7/℃。
专利文献5中公开了含有0~5摩尔%的B2O3的玻璃,但热膨胀大,密度也大。
为了解决专利文献1~5中记载的玻璃的问题,提出了专利文献6中记载的无碱玻璃。专利文献6中记载的无碱玻璃的应变点高,能够通过浮法进行成形,适合于显示器用基板、光掩模用基板等用途。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开昭62-113735号公报
专利文献2:日本特开昭62-100450号公报
专利文献3:日本特开平4-325435号公报
专利文献4:日本特开平5-232458号公报
专利文献5:美国专利第5326730号说明书
专利文献6:日本特开平10-45422号公报
专利文献7:日本特开平10-324526号公报
发明内容
发明所要解决的问题
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