[发明专利]二酮基吡咯并吡咯聚合物和小分子

权利要求书

1.一种包含下式的重复单元的聚合物：

其中

a为0、1、2或3，a’为0、1、2或3；b为0、1、2或3；b’为0、1、2或3；c为0、1、2或3；c’为0、1、2或3；

R¹和R²可以相同或不同且选自

C₁-C₁₀₀烷基，其可以任选被C₁-C₁₂烷基、C₁-C₁₂烷氧基、卤素、C₅-C₁₂环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C₆-C₂₄芳基、C₂-C₂₀杂芳基或E^Si取代一次或多次；和/或可以任选被-O-、-S-、-NR³⁹-、-COO-、-CO-、-OCO-、C₆-C₂₄亚芳基、C₂-C₂₀亚杂芳基、C₃-C₁₂亚环烷基或D^Si间隔，C₂-C₁₀₀链烯基，其可以任选被C₁-C₁₂烷基、C₁-C₁₂烷氧基、卤素、C₅-C₁₂环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C₆-C₂₄芳基、C₂-C₂₀杂芳基或E^Si取代一次或多次；和/或可以任选被-O-、-S-、-NR³⁹-、-COO-、-CO-、-OCO-、C₆-C₂₄亚芳基、C₂-C₂₀亚杂芳基、C₃-C₁₂亚环烷基或D^Si间隔，C₃-C₁₀₀炔基，其可以任选被C₁-C₁₂烷基、C₁-C₁₂烷氧基、卤素、C₅-C₁₂环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C₆-C₂₄芳基、C₂-C₂₀杂芳基或E^Si取代一次或多次；和/或可以任选被-O-、-S-、-NR³⁹-、-COO-、-CO-、-OCO-、C₆-C₂₄亚芳基、C₂-C₂₀亚杂芳基、C₃-C₁₂亚环烷基或D^Si间隔，C₃-C₁₂环烷基，其可以任选被C₁-C₁₂烷基、C₁-C₁₂烷氧基、卤素、C₅-C₁₂环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C₆-C₂₄芳基、C₂-C₂₀杂芳基或E^Si取代一次或多次；和/或可以任选被-O-、-S-、-NR³⁹-、-COO-、-CO-、-OCO-、C₆-C₂₄亚芳基、C₂-C₂₀亚杂芳基、C₃-C₁₂亚环烷基或D^Si间隔，C₆-C₂₄芳基，其可以任选被C₁-C₁₂烷基、C₁-C₁₂烷氧基、卤素、C₅-C₁₂环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C₆-C₂₄芳基、C₂-C₂₀杂芳基或E^Si取代一次或多次；

C₂-C₂₀杂芳基，其可以任选被C₁-C₁₂烷基、C₁-C₁₂烷氧基、卤素、C₅-C₁₂环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C₆-C₂₄芳基、C₂-C₂₀杂芳基或E^Si取代一次或多次；

-CO-C₁-C₁₈烷基、-CO-C₅-C₁₂环烷基、-COO-C₁-C₁₈烷基，它们可以任选被C₁-C₁₂烷基、C₁-C₁₂烷氧基、卤素、C₅-C₁₂环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C₆-C₂₄芳基、C₂-C₂₀杂芳基或E^Si取代一次或多次；和/或可以任选被-O-、-S-、-NR³⁹-、-COO-、-CO-、-OCO-、C₆-C₂₄亚芳基、C₂-C₂₀亚杂芳基、C₃-C₁₂亚环烷基或D^Si间隔，

E^Si为-SiR¹⁶¹R¹⁶²R¹⁶³或-O-SiR¹⁶¹R¹⁶²R¹⁶³；

D^Si为-SiR¹⁶¹R¹⁶²-、-SiR¹⁶¹R¹⁶²-(O-SiR¹⁶¹R¹⁶²)_d-或-O-SiR¹⁶¹R¹⁶²-；

R¹⁶¹、R¹⁶²和R¹⁶³相互独立地为氢，C₁-C₂₅烷基，可以任选被C₁-C₄烷基取代的C₃-C₁₂环烷基；C₁-C₂₅卤代烷基，C₂-C₂₅链烯基，-O-SiR¹⁶⁴R¹⁶⁵R¹⁶⁶，-(O-SiR¹⁶⁴R¹⁶⁵)_d-R¹⁶⁶，C₁-C₂₅烷氧基，C₃-C₂₄(杂)芳氧基，NR¹⁶⁷R¹⁶⁸，卤素，C₁-C₂₅酰氧基，苯基，被C₁-C₂₄烷基、卤素、氰基或C₁-C₂₅烷氧基取代1-3次的苯基；

R¹⁶⁴、R¹⁶⁵和R¹⁶⁶相互独立地为氢，C₁-C₂₅烷基，可以任选被C₁-C₄烷基取代的C₃-C₁₂环烷基；C₁-C₂₅卤代烷基，C₂-C₂₅链烯基，-O-SiR¹⁶⁹R¹⁷⁰R¹⁷¹，-(O-SiR¹⁶⁹R¹⁷⁰)_d-R¹⁷¹，C₁-C₂₅烷氧基，C₃-C₂₄(杂)芳氧基，NR¹⁶⁷R¹⁶⁸，卤素，C₁-C₂₅酰氧基，苯基，被C₁-C₂₄烷基、卤素、氰基或C₁-C₂₅烷氧基取代1-3次的苯基；

R¹⁶⁹、R¹⁷⁰和R¹⁷¹相互独立地为氢，C₁-C₂₅烷基，可以任选被C₁-C₄烷基取代

的C₃-C₁₂环烷基；C₁-C₂₅卤代烷基，C₂-C₂₅链烯基，-O-Si(CH₃)₃，C₁-C₂₅烷氧基，C₃-C₂₄(杂)芳氧基，NR¹⁶⁷R¹⁶⁸，卤素，C₁-C₂₅酰氧基，苯基，被C₁-C₂₄烷基、卤素、氰基或C₁-C₂₅烷氧基取代1-3次的苯基；

R¹⁶⁷和R¹⁶⁸相互独立地为氢，C₆-C₁₈芳基；被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基；或者可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基；或C₇-C₂₅芳烷基；

d为1-50的整数；

R³⁹为氢，C₁-C₁₈烷基，C₁-C₁₈卤代烷基，C₇-C₂₅芳烷基或C₁-C₁₈链烷酰基，Ar¹、Ar1^’、Ar²、Ar^2’、Ar³和Ar^3’相互独立地为

例如其中X为-O-、-S-、-NR⁸-、-Si(R¹¹)(R^11’)-、-Ge(R¹¹)(R^11’)-、-C(R⁷)(R^7’)-、-C(＝O)-、-C(＝CR¹⁰⁴R^104’)-、

R³和R^3’相互独立地为氢，卤素，E^Si，卤代C₁-C₂₅烷基，氰基，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基；C₇-C₂₅芳烷基，被一个或多个E^Si取代的C₁-C₂₅烷基，或C₁-C₂₅烷氧基；

R⁴、R^4’、R⁵、R^5’、R⁶和R^6’相互独立地为氢，卤素，E^Si，卤代C₁-C₂₅烷基，氰基，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基；C₇-C₂₅芳烷基，被一个或多个E^Si取代的C₁-C₂₅烷基，或C₁-C₂₅烷氧基；

R⁷、R^7’、R⁹和R^9’相互独立地为氢，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基；可以被一个或多个E^Si取代的C₁-C₂₅烷基，或C₇-C₂₅芳烷基，或者R⁷和R^7’或R⁹和R^9’一起为＝CR¹⁰⁴R^104’；

R⁸和R^8’相互独立地为氢，C₆-C₁₈芳基；被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基；或者可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基；被一个或多个E^Si取代的C₁-C₂₅烷基，或C₇-C₂₅芳烷基，

R¹¹和R^11’相互独立地为C₁-C₂₅烷基，C₇-C₂₅芳烷基或苯基，它们可以被C₁-C₈烷基和/或C₁-C₈烷氧基取代1-3次；

R¹²和R^12’相互独立地为氢，卤素，氰基，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基，C₁-C₂₅烷氧基，C₇-C₂₅芳烷基或其中R¹³为C₁-C₁₀烷基或三(C₁-C₈烷基)甲硅烷基；或者

Ar¹、Ar^1’、Ar²、Ar^2’、Ar³和Ar^3’相互独立地为例如例如

其中

X^1’为S、O、NR¹⁰⁷-、-Si(R¹¹⁷)(R^117’)-、-Ge(R¹¹⁷)(R^117’)-、-C(R¹⁰⁸)(R¹⁰⁹)-、-C(＝O)-、-C(＝CR¹⁰⁴R^104’)-、

R¹⁰⁴和R^104’相互独立地为氢、氰基、COOR¹⁰³、C₁-C₂₅烷基或C₆-C₂₄芳基或C₂-C₂₀杂芳基；

R¹⁰³为C₁-C₂₅烷基，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基，或为C₇-C₂₅芳烷基；

R¹⁰⁵、R^105’、R¹⁰⁶和R^106’相互独立地为氢、卤素、氰基、可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基；C₇-C₂₅芳烷基或C₁-C₁₈烷氧基，

R¹⁰⁷为氢，C₇-C₂₅芳烷基，C₆-C₁₈芳基；被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基；C₁-C₁₈全氟烷基；可以被-O-或-S-间隔的C₁-C₂₅烷基；或者-COOR¹⁰³；R¹⁰³如上所定义；

R¹⁰⁸和R¹⁰⁹相互独立地为H，C₁-C₂₅烷基，被E取代和/或被D间隔的C₁-C₂₅烷基，C₇-C₂₅芳烷基，C₆-C₂₄芳基，被G取代的C₆-C₂₄芳基，C₂-C₂₀杂芳基，被G取代的C₂-C₂₀杂芳基，C₂-C₁₈链烯基，C₂-C₁₈炔基，C₁-C₁₈烷氧基，被E取代和/或被D间隔的C₁-C₁₈烷氧基，或C₇-C₂₅芳烷基，或者

R¹⁰⁸和R¹⁰⁹一起形成式＝CR¹¹⁰R¹¹¹的基团，其中

R¹¹⁰和R¹¹¹相互独立地为H，C₁-C₁₈烷基，被E取代和/或被D间隔的C₁-C₁₈烷基，C₆-C₂₄芳基，被G取代的C₆-C₂₄芳基，或C₂-C₂₀杂芳基或被G取代的C₂-C₂₀杂芳基，或者

R¹⁰⁸和R¹⁰⁹一起形成5或6员环，其任选可以被C₁-C₁₈烷基、被E取代和/或被D间隔的C₁-C₁₈烷基、C₆-C₂₄芳基、被G取代的C₆-C₂₄芳基、C₂-C₂₀杂芳基、被G取代的C₂-C₂₀杂芳基、C₂-C₁₈链烯基、C₂-C₁₈炔基、C₁-C₁₈烷氧基、被E取代和/或被D间隔的C₁-C₁₈烷氧基或C₇-C₂₅芳烷基取代，

D为-CO-、-COO-、-S-、-O-或-NR¹¹²-，

E为C₁-C₈硫代烷氧基、C₁-C₈烷氧基、CN、-NR¹¹²R¹¹³、-CONR¹¹²R¹¹³或卤素，

G为E或C₁-C₁₈烷基，以及

R¹¹²和R¹¹³相互独立地为H；C₆-C₁₈芳基；被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基；C₁-C₁₈烷基；或被-O-间隔的C₁-C₁₈烷基，

R¹¹⁴为可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基，

R¹¹⁵和R^115’相互独立地为氢、卤素、氰基、可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基、C₁-C₂₅烷氧基、C₇-C₂₅芳烷基或其中R¹¹⁶为C₁-C₁₀烷基或三(C₁-C₈烷基)甲硅烷基；

R¹¹⁷和R^117’相互独立地为C₁-C₂₅烷基、C₇-C₂₅芳烷基或苯基，它们可以被C₁-C₈烷基和/或C₁-C₈烷氧基取代1-3次；

R¹¹⁸、R¹¹⁹、R¹²⁰和R¹²¹相互独立地为氢，卤素，卤代C₁-C₂₅烷基，氰基，可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基；C₇-C₂₅芳烷基或C₁-C₂₅烷氧基；

R¹²²和R^122’相互独立地为氢，C₆-C₁₈芳基；被C₁-C₁₈烷基或C₁-C₁₈烷氧基取代的C₆-C₁₈芳基；或可以任选被一个或多个氧或硫原子间隔的C₁-C₂₅烷基；或C₇-C₂₅芳烷基；

条件是基团R¹、R²、R³、R^3’、R⁴、R^4’、R⁵、R^5’、R⁶、R^6’、R⁷、R^7’、R⁸、R^8’、R⁹和R^9’中至少一个含有基团E^Si和/或D^Si。