[发明专利]氢化嵌段共聚物、及其制造方法

权利要求书

1.氢化嵌段共聚物，其为包含聚合物嵌段(A)和聚合物嵌段(B)的嵌段共聚物，所述聚合物嵌段(A)包含源自芳香族乙烯基化合物的结构单元，所述聚合物嵌段(B)含有源自法呢烯的结构单元(b1)1～100质量％，并含有源自法呢烯以外的共轭二烯的结构单元(b2)99～0质量％，聚合物嵌段(B)中的碳-碳双键的70～98mol％进行了加氢。

2.权利要求1所述的氢化嵌段共聚物，其中，所述法呢烯为β-法呢烯。

3.权利要求1或2所述的氢化嵌段共聚物，其中，所述聚合物嵌段(A)与聚合物嵌段(B)的质量比[(A)/(B)]为5/95～80/20。

4.权利要求1或2所述的氢化嵌段共聚物，其中，峰位分子量(Mp)为4,000～1,500,000。

5.权利要求1或2所述的氢化嵌段共聚物，其中，分子量分布(Mw/Mn)为1～4。

6.权利要求1或2所述的氢化嵌段共聚物，其中，所述芳香族乙烯基化合物为苯乙烯。

7.权利要求1或2所述的氢化嵌段共聚物，其中，所述法呢烯以外的共轭二烯为选自异戊二烯、丁二烯以及月桂烯中的至少1种。

8.权利要求1或2所述的氢化嵌段共聚物，其中，基于-60～0℃的动态粘弹性测定的损耗角正切(tanδ)为0.1以上。

9.权利要求1～8中任一项所述的氢化嵌段共聚物的制造方法，其具备：通过阴离子聚合而得到具有所述聚合物嵌段(A)与所述聚合物嵌段(B)的嵌段共聚物的聚合工序；以及，将该嵌段共聚物中的聚合物嵌段(B)的碳-碳双键的70～98mol％进行加氢的工序。