[发明专利]具有改进性能的光发射器封装件、系统及方法

权利要求书

1.一种光发射器封装件，包括：

基台，所述基台包括阳极和阴极；

光发射器芯片，所述光发射器芯片设置在所述基台上；并且

所述光发射器芯片被安装在所述阴极的至少一部分上并且被焊线至所述阳极的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的光发射器封装件，其中，所述封装件被配置为在350mA和约85℃下交付高达至约151或者更多的流明每瓦(LPW)，和/或在350mA和约25℃下交付约165或者更多的LPW。

3.根据权利要求2所述的光发射器封装件，其中，所述封装件被配置为在350mA和85℃下交付高达至约151或者更多的流明每瓦(LPW)，和/或在冷白色温度的350mA和25℃下交付约165或者更多的LPW。

4.根据权利要求1所述的光发射器封装件，其中，所述封装件被配置为在350mA和85℃下交付高达至约133或者更多的流明每瓦(LPW)，和/或在350mA和25℃下交付高达至约145或者更多的LPW。

5.根据权利要求4所述的光发射器封装件，其中，所述封装件被配置为在350mA和85℃下交付高达至约133或者更多的流明每瓦(LPW)，和/或在暖白色温度的350mA和25℃下交付高达至约145或者更多的LPW。

6.根据权利要求1所述的光发射器封装件，其中，所述封装件被配置为在350mA下交付约200或者更多的流明每瓦(LPW)。

7.根据权利要求1所述的光发射器封装件，其中，焊接掩模的一部分至少部分设置在所述阳极与所述阴极之间。

8.根据权利要求1所述的光发射器封装件，其中，光转换材料直接设置在所述阳极和所述阴极的部分上。

9.根据权利要求8所述的光发射器封装件，其中，所述光转换材料包括至少一种荧光体。

10.根据权利要求1所述的光发射器封装件，其中，所述封装件被配置为交付从约2700K至7000K的色温范围。

11.根据权利要求1所述的光发射器封装件，进一步包括透镜。

12.根据权利要求11所述的光发射器封装件，其中，所述透镜包括圆形透镜基座。

13.根据权利要求12所述的光发射器封装件，其中，所述透镜基座包括等于或者大于约1.53mm的半径。

14.根据权利要求12所述的光发射器封装件，其中，所述透镜基座包括等于或者大于约2.25mm的半径。

15.根据权利要求12所述的光发射器封装件，其中，所述透镜基座包括等于或者大于约3.75mm的半径。

16.根据权利要求1所述的光发射器封装件，其中，所述基台包括约3.45mm的长度和宽度。

17.根据权利要求1所述的光发射器封装件，其中，所述基台包括约5mm的长度和宽度。

18.根据权利要求1所述的光发射器封装件，其中，所述基台包括约7mm的长度和宽度。

19.根据权利要求1所述的光发射器封装件，其中，所述光发射器芯片包括至少6mm²的面积。

20.根据权利要求1所述的光发射器封装件，其中，所述基台包括约45mm²或者更大的面积。

21.根据权利要求12所述的光发射器封装件，其中，所述透镜基座包括约30mm²或者更大的面积。

22.根据权利要求1所述的光发射器封装件，其中，所述基台包括等于或者大于约30瓦每米开尔文(W/m·K)的热导率。

23.根据权利要求1所述的光发射器封装件，其中，所述封装件符合能源之星

24.根据权利要求1所述的光发射器封装件，其中，所述封装件经过认证。

25.根据权利要求1所述的光发射器封装件，其中，所述光发射器芯片整体设置在所述阴极上。