[发明专利]多点触摸感测面板及相应的生产方法有效
申请号: | 201380028979.7 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN104541237A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 安德鲁·莫里森 | 申请(专利权)人: | 齐特罗尼克显示器有限公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 宁晓;郑霞 |
地址: | 英国泰恩*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多点 触摸 面板 相应 生产 方法 | ||
技术领域
本发明涉及生产多点触摸感测面板的方法。
背景技术
配备有触摸感测显示器的个人计算装置是众所周知的并被广泛使用。这种显示器允许用户通过“触摸输入”来控制装置,即通过触摸典型地定位于显示屏上方的触摸感测面板来控制装置。
所谓的“多点触摸”技术的最近进展使得多点触摸装置得到了发展,由此,装置的触摸感测显示器可以从由用户进行的多个同时触摸导出控制信息。多点触摸技术增加了用户对装置的控制程度,并增加了装置的有用性和满意度。
多点触摸技术的发展主要局限于相对小型的个人计算装置(如智能手机和平板电脑)。然而,人们认识到在其他领域提供多点触摸的触摸感测显示器可引起改进的其他类型的装置。
常规的多点触摸显示装置使用所谓的“互电容”技术,通过其监测凭借电容性耦合从第一组导体(即电极)转移到第二组导体的电荷水平。此电荷转移的减少指示用户触摸。可以使用其他技术来探测用户触摸,如所谓的“自电容”技术,通过其监测以格栅图案设置的隔离的导体的电容变化。然而,当试图区分多个同时触摸时,基于自电容技术表现不佳,因此自电容技术并不适合多点触摸应用。
常规的基于互电容的多点触摸显示装置包含覆盖在显示屏上的触摸感测面板。触摸感测面板包括第一阵列层和第二阵列层,第一阵列层包含第一组导电元件,第二阵列层包含第二组导电元件。第一阵列层和第二阵列层由若干绝缘层分开,并被定位于通常由玻璃制成的透明保护基板下。第一组导电元件和第二组导电元件是由氧化铟锡(ITO)制成。当将ITO沉积在足够薄的层时,ITO变得透明,并且一般认为ITO是用于被定位于显示屏上方的触摸感测面板的最好材料。
第一阵列层的ITO导体被设置成在若干交叉点处与第二阵列层的ITO导体交叉。对在各个交叉点处的、由于第一层的ITO导体和第二层的ITO导体间的电容性耦合导致的电荷转移进行监测。当在交叉点处探测到通过电容性耦合转移的电荷水平的下降时,探测到用户触摸(例如用户使得手指或电容性触控笔与触摸感测面板紧密接近或物理接触)。这是由于,否则电荷将在交叉点处从一个导体层转移到其他导体层,而不是转移到用户(或电容性触控笔)。
为生产ITO导体,将ITO层沉积在基板上。为将ITO层沉积在基板上,使用所谓的“溅射”技术,通过该技术,将ITO粒子喷射在基板形成薄层。为形成各个导体,然后使用光刻法对ITO层进行蚀刻。
溅射是昂贵且耗时的工艺,且必须尽可能精确地进行,以减少沉积的ITO层的厚度变化。类似地,光刻法是复杂的工艺,当与ITO导体形成于其上的基板对齐时,其需要高度精确性。因此,很难在除了均匀平坦的基板之外的任何物体上生产ITO导体。这将多点触摸的触摸感测显示装置的用途限制在具有平坦的或基本上平坦的显示屏轮廓的装置中。由于ITO的透明度,一般认为ITO是制造多点触摸感测装置的导体的唯一适合的材料,所以为解决此缺点的努力已集中在调整ITO导体制造工艺方面。
发明内容
根据本发明的第一方面,提供了一种生产非平面多点触摸感测面板的方法,所述面板包含在多个交点处彼此交叉的多个电隔离导体。该方法包含:通过将绝缘导线铺设在粘合层上,形成多个电隔离导体,所述的绝缘导线包含绝缘涂层;由铺设在粘合层上的绝缘导线形成弹性导体阵列板,以及将弹性导体阵列板层压到非平面保护基板上,从而形成非平面多点触摸感测面板。
根据常规技术,多点触摸感测面板由ITO形成的导体制成。如上文所述,为形成ITO导体,首先通过溅射工艺将ITO层沉积在基板上,然后使用光刻法形成各个导体。使用这种技术很难在除了平面(即基本上平坦的)基板之外的任何基板上形成各个导体。此外,一旦沉积ITO,ITO就是脆性的,且典型地不能承受任何轻微弯曲或一般变形而无破裂。因此应当明白,很难制造非平面的多点触摸感测面板(即包括不是基本上平坦的至少一部分的多点触摸感测面板)。
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