[发明专利]基座有效
申请号: | 201380028573.9 | 申请日: | 2013-06-03 |
公开(公告)号: | CN104380451B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | T·科恩迈尔;M·维斯基兴;S·施蒂尔 | 申请(专利权)人: | KGT石墨科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/673 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 王小东 |
地址: | 德国温*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基座 | ||
技术领域
本发明涉及供保护性气体真空高温处理设备的处理室用并且由石墨或CFC制成的基座,该基座是隧道状设计并且可通过盖件来闭合其两个端部。
背景技术
基座被理解为是这样的组件,其位于直接处理区域中,并且用于接收待处理的制品或者以腔室的形式包围这些制品,使得处理室在很大程度上被分隔开。
基座被放置在承载结构上,承载结构同样由石墨或CFC(CFC:碳纤维复合物)构成。CFC材料是用于高温应用(例如,炉具中)的碳纤维复合材料。通过石墨盖件闭合基座的两个端部,石墨盖件大多数情况下悬于炉门并因此可以简单方式打开和闭合。
对于高温工艺而言,加热元件(大部分为杆状的加热元件)以均匀间隔布置在基座周围。
用于在热迁移设备中接纳半导体晶圆的异型基座的示例可得自EP 1590510B1。
基座被用在真空处理设备中,真空处理设备用于生产和处理由工程陶瓷、硬金属和其它合金制成的组件,这些组件受气压和高温的作用。特别地,基座被用于相对于绝缘或其它炉具组件来限定处理室,使得它们受到保护,免受过量温度负载或由腐蚀性气体造成的负载的保护。
基本问题是基座在处理过程中的热膨胀。根据可用空间的位置和大小,基座可不再由石墨块制成。特别是,当基座(当从剖视图看时)对应于平坦化的管或者具有隧道状设计时,这样造成的问题是,必要时,必须使用不同的天然物质块或甚至不同的原材料来制造组件。
这带来的负面结果是,基座的各个组件在热膨胀方面存在差异。进而,这样的结果是,组件的耐久性受到限制并且基座变得相关于其余的炉具空间是有漏隙的。处理设备的性能由此受损,并且工艺参数灵活性大大受到限制。
在将整体天然物质块用于平坦化的管(基座)时,因大量的材料消耗而产生其它问题,这是因为要出现大的芯。由于大的天然物质块大体是没有被很好地压实成芯的,因此开孔芯或残余材料不能不受限制地用于其它应用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可灵活地模块化扩展的基座,该基座具有节省材料的构造,特别地,具有均匀的热膨胀。
本发明的目的在于,通过以下方式实现开始所提到类型的基座,该基座由并排布置成连续隧道的多个模块构成,各模块由管状部分和紧固于该管状部分的底板构成,每两个模块之间的端面相互形状锁合。
本发明的优点一方面在于,基座可以任意长度组装,各个模块可由尽可能小的毛坯件制成,这些毛坯件进而具有在体积方面的高同质化划分,使得由它们制成的模块具有尽可能高的质量。
为了得到特别稳定的模块,当各管状部分与相关底板拧紧时,则是有利的。
在本发明的改进中,彼此对接的模块之间的形状锁合是通过异型的端面实现的,一个端面具有与另一个端面互补的形状。由于端面的异型化,这些端面拥有比平面端面更大的面积,从而确保了相邻模块之间的良好密封。
作为异型的端面的补充或替代,在这些端面中引入了孔,实现了两个相邻模块之间的更好的形状锁合,销接合在孔中以形成相邻模块的形状锁合。
在本发明的其它实施方式中,模块附加地以形状锁合和力锁合的方式相互连接。为此,相邻模块的底板设置有凹部,这些凹部在模块与模块之间延伸,并且连接元件以形状锁合的方式齐平地接合在该凹部中。这种连接元件可以是具有半圆形横截面的双T舌槽式连接元件。
各模块的管状部分还可由两个或多个部段构成,这同样提供了使用更小和更同质的毛坯件的优点。
最后,能够相互并排布置的模块可具有相同或不同的长度,由此实现对基座长度的细致分级,以及简化的仓储管理。
如果模块的所有组件是从相同的毛坯件切割而成的,则是尤其有利的,这是因为各个组件的热膨胀的可能差异由此被避免,使得模块在温度负载下不会变得有漏隙。
此外,可以在相邻模块的端面之间引入密封材料,适于该目的的是膜或石墨线密封件。
此外,模块还可通过利用石墨水泥或石墨粘合剂的粘接而牢固地彼此连接。
附图说明
以下,通过示例性实施方式更详细地说明本发明。在附图中:
图1示出由独立的模块组装并且具有平坦化管状横截面的基座,模块均由设有底板的多个管状件组成;
图2示出基座的一部分的放大立体图;
图3示出基座的一部分;以及
图4示出用于舌槽式连接的连接元件。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造