[发明专利]施用保护覆层特别是向能量锅炉的气密膜施用保护覆层的方法

权利要求书

1.一种施用保护覆层特别是向能量锅炉的气密膜施用保护覆层的方法，其特征在于，将两个气密膜(2)耦接在一起，然后在300℃至800℃、有利地约700℃下均热处理所得的一对气密膜(2)，其中清洁待施用保护覆层(1)的气密膜的表面，安装在定位器(13)上并然后预加热到80℃至600℃、有利地预加热到约300℃至450℃，然后，用保护覆层(1)覆盖耦接在一起的一对气密膜(2)的所述经清洁和预加热的表面，其中保护覆层以0.1mm至3.00mm、有利地约0.6mm的厚度施用，然后最后将具有覆层的耦接在一起的整对气密膜(2)在300℃至800℃、有利地约700℃下进行均热处理，并且维持设定温度10分钟至600分钟、有利地15分钟至30分钟，然后使具有覆层的气密膜(2)解耦接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过将金属型材(7)焊接到气密膜(2)的边缘和/或凸缘(4)来进行气密膜(2)的耦接。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，气密膜(2)的表面通过激光烧蚀进行清洁，其中激光束的输出功率为100kW至600kW、有利地300kW；斑点直径为0.1mm至1.0mm、有利地约0.5mm；扫描宽度为30mm至80mm、有利地约60mm；激光脉冲频率为10000脉冲/秒至50000脉冲/秒、有利地约20000脉冲/秒。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，初步均热处理通过将加热器(5)插在气密膜(2)的管(3)与凸缘(4)之间来进行。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，初步均热处理通过将加热器(5)插在气密膜(2)的管(3)与凸缘(4)之间和/或插入气密膜(2)的管(3)内来进行。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向气密膜(2)施用粉末或线原料形式的保护覆层(1)，所述原料具有以下组成：50％至80％、有利地约66％的镍；8.0％至50.0％、有利地约20.0％的铬；0.1％至5.0％、有利地约0.85％的硼；0.08％至6.0％、有利地约1.2％的硅；0.05％至1.8％、有利地约0.15％的锰；2.0％至12.0％、有利地约6.8％的钼；1.2％至4.0％、有利地约2.7％的铌；0.01％至4.0％、有利地约1.8％的铁；0.03％至0.9％、有利地约0.25％的碳。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向气密膜(2)施用粉末或线原料形式的保护覆层(1)，所述原料具有以下组成：50％至80％、有利地约64.0％的镍；8.0％至50.0％、有利地约22.0％的铬；0.08％至1.0％、有利地约0.25％的硅；0.05％至2.0％、有利地约0.20％的锰；2.0％至15.0％、有利地约9.0％的钼；2.0％至5.0％、有利地约3.6％的铌；0.01％至0.5％、有利地约0.03％的碳；有利地低于1.0％的铁。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向气密膜(2)施用粉末或线原料形式的保护覆层(1)，所述原料具有以下组成：60.0％至80.0％、有利地约70.4％的镍；8.0％至20.0％、有利地约17.3％的铬；2.0％至7.0％、有利地约4.0％的硅；2.0％至6.0％、有利地约3.43％的硼；0.4％至2.0％、有利地约0.89％的碳；2.5％至7.0％、有利地约4.0％的铁。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用激光束辐射能向气密膜(2)施用保护覆层(1)。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用CMT技术向气密膜(2)施用保护覆层(1)。

11.根据权利要求1、9、10所述的方法，其特征在于，使用高温计或红外摄像机(11)以如下方式控制保护覆层(1)施用的参数，使得覆层施用时的覆层焊接温度不超过2600℃，并且有利地为2300℃至2500℃。

12.根据权利要求1、9、10、11所述的方法，其特征在于，以如下方式控制保护覆层(1)施用的参数，使得向包覆过程区域供以2.5kJ/g原料至12kJ/g原料、有利地4kJ/g原料至6kJ/g原料的能量。