[发明专利]溅射靶有效
| 申请号： | 201380028477.4 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN104379800B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 西村麻美;松崎滋夫;大山正嗣 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 | ||
1.一种溅射靶，其含有氧化物烧结体，该氧化物烧结体包含铟元素、锡元素和锌元素，
所述氧化物烧结体包含Zn2SnO4所表示的尖晶石结构化合物、和选自In2O3(ZnO)m所表示的六方晶层状化合物、InXO3(ZnO)n所表示的六方晶层状化合物、SnO2所表示的金红石结构化合物及ZnSnO3所表示的钛铁矿结构化合物中的1种以上化合物，
尖晶石结构化合物的凝聚物为氧化物烧结体整体的5％以下，所述氧化物烧结体的3点弯曲强度为120MPa以上，
所述In2O3(ZnO)m所表示的六方晶层状化合物包含10％以上且50％以下的长宽比为3以上的针状晶体，
式中，X是能够与铟元素和锌元素一同形成六方晶层状化合物的金属元素，m为1以上的整数，n为1以上的整数。
2.如权利要求1所述的溅射靶，其中，m为3～6的整数。
3.如权利要求1所述的溅射靶，其中，n为1～7的整数。
4.如权利要求1所述的溅射靶，其中，所述尖晶石结构化合物的凝聚物为氧化物烧结体整体的3％以下。
5.如权利要求1所述的溅射靶，其中，所述尖晶石结构化合物的凝聚物为氧化物烧结体整体的1.5％以下。
6.如权利要求1所述的溅射靶，其中，所述尖晶石结构化合物的凝聚物的比例按照以下进行测定，
在溅射靶的300倍扫描电子显微镜的反射电子图像面积为280μm×350μm的各个视野中，将富Sn相的长径为30μm以上的部分定义为凝聚物，通过图像解析求出凝聚物所占的区域的面积，在5个视野中测定凝聚物所占区域的面积在整体面积中所占的比例，求出其平均值。
7.如权利要求1所述的溅射靶，其中，所述氧化物烧结体包含所述In2O3(ZnO)m所表示的六方晶层状化合物。
8.如权利要求1所述的溅射靶，其中，所述氧化物烧结体包含镓元素。
9.如权利要求8所述的溅射靶，其中，镓元素固溶于选自所述In2O3(ZnO)m所表示的六方晶层状化合物、所述InXO3(ZnO)n所表示的六方晶层状化合物、所述金红石结构化合物及所述尖晶石结构化合物中的1种以上化合物。
10.如权利要求1所述的溅射靶，其中，X是镓、铝、铁或镧系金属。
11.如权利要求1所述的溅射靶，其中，X为镓元素。
12.如权利要求1所述的溅射靶，其中，所述氧化物烧结体包含所述InXO3(ZnO)n所表示的六方晶层状化合物。
13.如权利要求1所述的溅射靶，其中，所述氧化物烧结体包含刚玉结构化合物或纤维锌矿结构化合物。
14.如权利要求1所述的溅射靶，其中，所述氧化物烧结体不包含方铁锰矿结构。
15.如权利要求1所述的溅射靶，其中，所述In2O3(ZnO)m所表示的六方晶层状化合物包含20％以上且50％以下的长宽比为3以上的针状晶体。
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