[发明专利]二氧化硅‑改性的‑氟化物广角减反射涂层有效
| 申请号： | 201380028469.X | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104508559B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | M·J·康杰米;P·G·德瓦;J·D·玛拉齐;P·F·米开罗斯基;H·施赖伯;王珏 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G02B1/115 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 改性 氟化物 广角 反射 涂层 | ||
1.一种用于在深紫外波长范围操作的激光光学器件的光学涂层，所述涂层包括：
包括高折射率金属氟化物材料的第一层，所述第一层具有0.78四分之一波长至0.90四分之一波长的厚度；
包括低折射率金属氟化物材料的第二层，所述第二层具有0.78四分之一波长至0.90四分之一波长的厚度；和
选自SiO2和F-SiO2的第三层；
其中所述第三层的厚度是5.0-25纳米，
其中在193纳米的波长下，所述涂层在22°入射角的反射率小于0.5％，
其中所述第一层直接设置在基片上，所述第二层在所述第一层的顶部，所述第三层设置在所述第二层的顶部作为封盖层，其中所述第三层是致密化的。
2.如权利要求1所述的光学涂层，其特征在于，所述高折射率材料选自下组：GdF3和LaF3；其中，所述低折射率材料选自下组：AlF3和MgF3。
3.一种在深紫外波长范围操作的光学元件，其包括:
选自CaF2、SiO2和F-SiO2的基片；和
设置在所述基片上的光学涂层，所述涂层包括：
包括高折射率金属氟化物材料的第一层，所述第一层具有0.78四分之一波长至0.90四分之一波长的厚度；
包括低折射率金属氟化物材料的第二层，所述第二层具有0.78四分之一波长至0.90四分之一波长的厚度；和
选自SiO2和F-SiO2的第三层；
其中所述第三层的厚度是5.0-25纳米，
其中在193纳米的波长下，所述涂层在22°入射角的反射率小于0.5％，
其中所述第一层直接设置在基片上，所述第二层在所述第一层的顶部，所述第三层设置在所述第二层的顶部作为封盖层，其中所述第三层是致密化的。
4.如权利要求3所述的光学元件，其特征在于，所述高折射率材料选自下组：GdF3和LaF3；其中，所述低折射率材料选自下组：AlF3和MgF3。
5.如权利要求3所述的光学元件，其特征在于，所述元件包括镜子、透镜、激光窗口或棱镜。
6.如权利要求3所述的光学元件，其特征在于，所述基片包括含0.5-4.5重量％F的F-SiO2基片。
7.一种用于制造上面具有涂层的在深紫外波长范围操作的光学元件的方法，所述方法包括：
在基片上施涂包括高折射率金属氟化物材料的第一层，所述第一层具有0.78四分之一波长至0.90四分之一波长的厚度；
施涂包括低折射率金属氟化物材料的第二层，所述第二层具有0.78四分之一波长至0.90四分之一波长的厚度；和
使用在大于或等于300℃的温度下的真空沉积，施涂选自SiO2和F-SiO2的第三层；和
使用原位或后-沉积等离子体离子处理来处理所述第三层，使所述第三层致密化，
其中所述第三层的厚度是5.0-25纳米，
其中在193纳米的波长下，所述涂层在22°入射角的反射率小于0.5％，
其中所述第一层直接设置在基片上，所述第二层在所述第一层的顶部，所述第三层设置在所述第二层的顶部作为封盖层。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述高折射率材料选自下组：GdF3和LaF3,以及其中所述低折射率材料选自下组：AlF3和MgF3。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基片包括含0.5-4.5重量％F的F-SiO2基片。
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