[发明专利]SiC荧光材料及其制造方法以及发光元件无效
| 申请号： | 201380028405.X | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104350128A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 前田智彦;寺前文晴;难波江宏一 | 申请（专利权）人： | 崇高种子公司 |
| 主分类号： | C09K11/65 | 分类号： | C09K11/65;C09K11/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张劲松 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 荧光 材料 及其 制造 方法 以及 发光 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiC荧光材料，由碳原子配置于立方体位置和六方体位置的SiC晶体构成，并添加有施主杂质和受主杂质，其中，
与立方体位置的碳原子置换的施主杂质相对于与六方体位置的碳原子置换的施主杂质的比例，比晶体构造中的立方体位置相对于六方体位置的比例大。
2.如权利要求1所述的SiC荧光材料，其中，室温下的载流子浓度比施主浓度和受主浓度之差小。
3.如权利要求1或2所述的SiC荧光材料，其中，可见光区域的吸收率与无杂质添加的情况为相同程度。
4.一种SiC荧光材料的制造方法，
在制造权利要求1～3中任一项所述的SiC荧光材料时，在含氢环境中，利用升华法使所述SiC荧光材料生长。
5.一种发光元件，具有：
由权利要求1～3中任一项所述的SiC荧光材料构成的SiC衬底、
在所述SiC衬底上形成的氮化物半导体层。
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