[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201380028160.0 | 申请日： | 2013-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN104380473B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;肥塚纯一;岛行德;德永肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/34;G02F1/1368;H01L51/50;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 吴宗颐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
栅电极层；
所述栅电极层上的栅极绝缘层；
所述栅极绝缘层上的第一氧化物半导体层，该第一氧化物半导体层包含铟及镓；
所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，该第二氧化物半导体层包含铟及镓；
所述第二氧化物半导体层上的源电极层；以及
所述第二氧化物半导体层上的漏电极层，
其中，在所述第一氧化物半导体层中所述铟的含量大于所述镓的含量，
在所述第二氧化物半导体层中所述铟的含量为所述镓的含量以下，
所述第二氧化物半导体层包含所述源电极层和所述漏电极层的构成元素中的至少一种，
并且，所述第二氧化物半导体层是结晶氧化物半导体层。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述源电极层及所述漏电极层包含铜,
并且，所述第二氧化物半导体层中的所述源电极层和所述漏电极层的构成元素是铜。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述栅极绝缘层包括氮化硅膜。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层分别包含锌。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述半导体装置是显示装置。
6.一种半导体装置，包括：
栅电极层；
所述栅电极层上的栅极绝缘层；
所述栅极绝缘层上的第一氧化物半导体层，该第一氧化物半导体层包含铟及镓；
所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，该第二氧化物半导体层包含铟及镓；
所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层，该第三氧化物半导体层包含铟及镓；
电接触于所述第二氧化物半导体层的源电极层；以及
电接触于所述第二氧化物半导体层的漏电极层，
其中，在所述第一氧化物半导体层中所述铟的含量为所述镓的含量以下，
在所述第二氧化物半导体层中所述铟的含量大于所述镓的含量，
在所述第三氧化物半导体层中所述铟的含量为所述镓的含量以下，
所述第三氧化物半导体层包含所述源电极层和所述漏电极层的构成元素中的至少一种，
并且，所述第三氧化物半导体层是结晶氧化物半导体层。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中，所述源电极层是在所述第三氧化物半导体层上，
并且，所述漏电极层是在所述第三氧化物半导体层上。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中，所述源电极层及所述漏电极层包含铜，
并且，所述第三氧化物半导体层中的所述源电极层和所述漏电极层的构成元素是铜。
9.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中，所述栅极绝缘层包括氮化硅膜。
10.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中，所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层及所述第三氧化物半导体层分别包含锌。
11.根据权利要求6所述的半导体装置，
其中，所述半导体装置是显示装置。
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