[发明专利]具有气压传感器的半导体封装有效
| 申请号： | 201380028085.8 | 申请日： | 2013-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN104321868B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 林启文;Q.马;F.爱德;J.斯万;郑永康 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马红梅,姜甜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 气压 传感器 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装，包括：
多个累积层；
在所述多个累积层中的一个或多个中设置的腔；
气压传感器，被设置在所述多个累积层中并包括所述腔和在所述腔之上设置的电极；以及
与气压传感器耦合的永久磁体。
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述腔是气密密封的腔。
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述气密密封的腔包括连续通路环。
4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中所述多个累积层中的在其中设置有气密密封的腔的一个或多个累积层是味之素累积膜（ABF）层，并且其中所述连续通路环包括铜。
5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述气压传感器包括MEMS器件。
6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中MEMS器件的隔膜包括所述腔，并且其中所述电极包括MEMS器件的悬置部分。
7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中MEMS器件的悬置部分包括铜。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：
具有设置在腔中的网状图案的层，所述层提供针对腔的结构支撑。
9.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：
设置在腔和电极之间的薄金属镀层，所述薄金属镀层提供针对腔的结构支撑。
10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述腔提供气压传感器的参考压强。
11.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：
无凸块累积层（BBUL）衬底。
12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述无凸块累积层衬底是无芯衬底。
13.一种半导体封装，包括：
包括多个累积层的衬底；
被容纳在所述衬底中的半导体管芯；
在所述半导体管芯之上在所述多个累积层中的一个或多个中设置的腔；
气压传感器，其被设置在所述多个累积层中并包括所述腔和在所述腔之上设置的电极，所述电极电耦合到半导体管芯；
使气压传感器的部分暴露于半导体封装周围的气压的一个或多个开口；以及
与气压传感器耦合的永久磁体。
14.根据权利要求13所述的半导体封装，其中所述衬底是无凸块累积层（BBUL）衬底。
15.根据权利要求14所述的半导体封装，其中所述无凸块累积层衬底是无芯衬底。
16.根据权利要求13所述的半导体封装，其中所述腔是气密密封的腔。
17.根据权利要求16所述的半导体封装，其中所述气密密封的腔包括连续通路环。
18.根据权利要求17所述的半导体封装，其中所述多个累积层中的在其中设置有气密密封的腔的一个或多个累积层是味之素累积膜（ABF）层，并且其中所述连续通路环包括铜。
19.根据权利要求13所述的半导体封装，其中所述气压传感器包括MEMS器件。
20.根据权利要求19所述的半导体封装，其中MEMS器件的隔膜包括所述腔，并且其中所述电极包括MEMS器件的悬置部分。
21.根据权利要求20所述的半导体封装，其中MEMS器件的悬置部分包括铜。
22.根据权利要求19所述的半导体封装，其中MEMS器件被设置成靠近半导体管芯的有源表面并远离半导体管芯的背表面。
23.根据权利要求13所述的半导体封装，还包括：
具有设置在腔中的网状图案的层，所述层提供针对腔的结构支撑。
24.根据权利要求13所述的半导体封装，还包括：
设置在腔和电极之间的薄金属镀层，所述薄金属镀层提供针对腔的结构支撑。
25.根据权利要求13所述的半导体封装，其中所述腔提供气压传感器的参考压强。
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