[发明专利]进行了耐环境包覆的陶瓷基复合材料构件及其制造方法有效
申请号: | 201380027664.0 | 申请日: | 2013-06-03 |
公开(公告)号: | CN104379345B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 中田幸宏;村田裕茂;渡边健一郎;田中康智;中村武志 | 申请(专利权)人: | 株式会社IHI |
主分类号: | B32B18/00 | 分类号: | B32B18/00;B32B9/00;C04B41/87;C04B41/89 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 金鲜英,李宏轩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 进行 环境 陶瓷 复合材料 构件 及其 制造 方法 | ||
1.一种陶瓷基复合材料构件,其特征在于,其为进行了耐环境包覆的陶瓷基复合材料构件,具备:
由含有硅化物的陶瓷基复合材料形成的基材、
层叠在前述基材的表面的碳化硅层、
层叠在前述碳化硅层的表面的硅层、
层叠在前述硅层的表面的由富铝红柱石和硅酸镱混合而成的混合层、和
层叠在前述混合层的表面的氧化物层。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基复合材料构件,其特征在于,
前述硅酸镱为Yb2SiO5或Yb2Si2O7。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷基复合材料构件,其特征在于,
前述碳化硅层的膜厚为10μm以上且50μm以下,
前述硅层的膜厚为50μm以上且140μm以下,
前述混合层的膜厚为75μm以上且225μm以下。
4.根据权利要求3所述的陶瓷基复合材料构件,其特征在于,
前述硅层的膜厚为50μm以上且100μm以下。
5.根据权利要求1或2所述的陶瓷基复合材料构件,其特征在于,
前述氧化物层由氧化物形成,所述氧化物以选自氧化铪、硅酸铪、硅酸镥、硅酸镱、氧化钛、氧化锆、钛酸铝、硅酸铝和镥铪氧化物组成的组中的至少1种作为主成分。
6.根据权利要求5所述的陶瓷基复合材料构件,其特征在于,
前述氧化物层由单斜晶的氧化铪形成。
7.根据权利要求1或2所述的陶瓷基复合材料构件,其特征在于,
前述碳化硅层由化学蒸镀膜形成,
前述硅层和前述混合层由利用减压喷镀法得到的喷镀覆膜形成,前述氧化物层由利用大气喷镀法得到的喷镀覆膜形成。
8.根据权利要求1或2所述的陶瓷基复合材料构件,其特征在于,
前述基材由使碳化硅基体与碳化硅纤维复合化而得到的陶瓷基复合材料形成。
9.根据权利要求1或2所述的陶瓷基复合材料构件,其特征在于,
前述陶瓷基复合材料构件在构件表面温度为1200℃~1400℃、水蒸汽分压为30kPa~140kPa的环境下使用。
10.一种陶瓷基复合材料的制造方法,其特征在于,其为进行了耐环境包覆的陶瓷基复合材料构件的制造方法,具备:
用含有硅化物的陶瓷基复合材料形成基材的基材形成工序、
通过化学蒸镀法在前述基材的表面层叠碳化硅层的碳化硅层层叠工序、
通过减压喷镀法在前述碳化硅层的表面层叠硅层的硅层层叠工序、
通过减压喷镀法在前述硅层的表面层叠由富铝红柱石和硅酸镱混合而成的混合层的混合层层叠工序、和
通过大气喷镀法在前述混合层的表面层叠氧化物层的氧化物层层叠工序。
11.根据权利要求10所述的陶瓷基复合材料的制造方法,其特征在于,
前述碳化硅层层叠工序以10μm以上且50μm以下的膜厚层叠前述碳化硅层,
前述硅层层叠工序以50μm以上且140μm以下的膜厚层叠前述硅层,
前述混合层层叠工序以75μm以上且225μm以下的膜厚层叠前述混合层。
12.根据权利要求11所述的陶瓷基复合材料的制造方法,其特征在于,
前述硅层层叠工序以50μm以上且100μm以下的膜厚层叠前述硅层。
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