[发明专利]制备基于VIII族金属且包含硅的催化剂的方法，和使用所述催化剂的选择性氢化方法

权利要求书

1. 制备选择性氢化催化剂的方法，其中提供包含金属形式的至少一种VIII族金属的催化剂前体，和由至少一种氧化物形成的至少一种载体，该方法特征在于实施以下步骤：在液相中以及在还原性和/或惰性气氛存在下，将金属形式的所述催化剂前体与包含硅化合物的非极性溶剂接触，所述硅化合物选自包含至少一个Si-H键和至少一个Si-C键的硅烷、硅醇和环状硅氧烷。

2. 权利要求1的方法，其中所述VIII族金属为钯或镍。

3. 权利要求1或2中任一项的方法，其中所述载体由选自氧化铝、二氧化硅、氧化钛、氧化铈和二氧化锆的至少一种简单氧化物形成。

4. 权利要求1-3中任一项的方法，其中所述非极性溶剂选自脂族烃溶剂、环烃溶剂、芳烃溶剂、部分饱和的汽油、衍生自选择性氢化过程的部分氢化流出物或这些溶剂的混合物。

5. 权利要求1-4中任一项的方法，其中所述硅化合物选自与式Si_xH_yR_z对应的硅烷，其中x为1至6的整数，y为1至2x+1的整数，和z为1至2x+1的整数，y+z的和为2x+2，R基团为单价烃基，对于每个价态，其相同或不同，而且可选自饱和脂族基团、不饱和脂族基团、环烷基、芳基和芳基烷基。

6. 权利要求1-4中任一项的方法，其中所述硅化合物选自与式Si_x(OH)R_2x+1对应的硅醇，其中x为1-6的整数，且R为权利要求5限定的基团。

7. 权利要求1-6中任一项的方法，其中所述硅化合物以0.01-10重量%硅的浓度存在于所述非极性溶剂中。

8. 权利要求1-7中任一项的方法，其中所述接触步骤在20-200℃的温度下实施。

9. 权利要求1-8中任一项的方法，其进一步包含以下步骤，所述步骤在接触步骤之前实施：

a) 其中将包含所述VIII族金属的至少一种前体的溶液浸渍到所述载体上的至少一个步骤，

b) 其中使来自步骤a）的经浸渍的载体干燥的至少一个步骤，

c) 其中将来自步骤b）的所述经干燥的载体锻烧的至少一个步骤，以至少获得氧化物形式的来自所述VIII族的所述金属，

d) 其中通过与还原性气体接触实施对来自步骤c)的经锻烧的载体的还原性处理的至少一个步骤，以至少获得金属形式的所述VIII族的至少所述金属。

10. 权利要求9的方法，其中干燥步骤b)在20-160℃的温度下实施，煅烧步骤c)在150-800℃的温度下实施，且与还原性气体接触的还原性处理步骤d)在高于或等于50℃的温度下实施。

11. 权利要求9-10中任一项的方法，其进一步包含步骤e)，其中所述催化剂前体的钝化通过硫化合物实施，所述钝化步骤在煅烧步骤c)之后和所述催化剂前体的还原性处理步骤d)之前，或者在所述催化剂前体的还原性处理步骤d)之后，或所述接触步骤之后实施。

12. 权利要求1-11中任一项的方法可获得的催化剂。

13. 一种选择性氢化方法，其中放置金属形式和根据权利要求1-12中任一项制备的催化剂与多不饱和烃的进料接触，所述多不饱和烃包含至少3个碳原子/分子且具有低于或等于250℃的终沸点。

14. 权利要求13的方法，其中所述进料选自C3蒸汽裂化馏分、C4蒸汽裂化馏分、C5蒸汽裂化馏分和蒸汽裂化汽油，致使获得部分氢化流出物。

15. 权利要求14的方法，其中所述部分氢化流出物的至少一部分在权利要求1的催化剂制备方法中用作非极性溶剂。