[发明专利]充电构件、处理盒和电子照相设备无效
申请号: | 201380026708.8 | 申请日: | 2013-05-15 |
公开(公告)号: | CN104335124A | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 仓地雅大;儿玉真隆;土井孝之;铃村典子;益启贵;黑田纪明 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G15/02 | 分类号: | G03G15/02 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 充电 构件 处理 电子 照相 设备 | ||
技术领域
本发明涉及用于电子照相设备的接触充电的充电构件,以及处理盒和电子照相设备。
背景技术
为了可以充分并均匀地确保感光构件和充电构件之间的抵接辊隙,通常构造具有含有橡胶的弹性层的抵接感光构件以使感光构件充电的充电构件。由于此类弹性层不可避免地含有低分子量组分,因此低分子量组分由于充电构件的长期使用可以朝向充电构件的表面渗出从而污染感光构件的表面。为了解决该问题,日本专利申请特开No.2001-173641提出其中用无机氧化物涂膜或无机-有机杂化涂膜涂布弹性层的外周面以抑制低分子量组分朝向充电构件的表面渗出的构造。
顺便提及,近年来,伴随着电子照相图像形成过程的速度的增加,感光构件和充电构件彼此接触的时间已变得相对短,这对稳定和确保感光构件的充电是不利的。可以说,在这种情况下,具有打算抑制低分子量组分渗出的、在其外周面上形成的厚膜的充电构件对稳定和确保感光构件的充电是不利的。此外,抵接充电构件的感光构件的滑动摩擦的增加促进渗出物从弹性层和表面层的析出,由此在某些情况下难以长时间使感光构件均匀地充电。此外,由于感光构件表面上的电荷输送层随着充电构件和感光构件之间的滑动摩擦的增加而容易受到刮擦,要求电荷输送层形成具有增加的厚度。然而,感光构件的电荷输送层的厚度增加导致电荷输送层的静电容量的降低,由此使得由充电构件供给的电荷不稳定从而引起在某些情况下由于异常放电导致的充电不均匀。
为了使感光构件稳定且均匀地充电,也提出抑制由于局部的泄漏导致的异常放电的方法。为了抑制此类由于异常放电引起的充电不均匀,日本专利申请特开No.2010-197590公开了其中具有离子导电性的中间层设置于电阻调节层上,以及具有绝缘性的表面层进一步设置在中间层上的导电辊。
引用列表
专利文献
PTL1:日本专利申请特开No.2001-173641
PTL2:日本专利申请特开No.2010-197590
发明内容
发明要解决的问题
然而,根据本发明人的研究,关于日本专利申请特开No.2001-173641中描述的充电构件,存在于有机-无机杂化膜中的微细电子缺陷在某些情况下已经引起异常放电。此外,关于日本专利申请特开No.2010-197590中描述的导电辊,在重复输出图像时离子性物质已渗出,由此使得在某些情况下难以稳定且均匀地充电。
本发明的目的在于提供能够稳定地使被充电体充电,并且即使在进行形成长时间保持其性能的电子照相图像的情况下也几乎不改变的充电构件。此外,本发明的目的是提供能够稳定地形成高品质电子照相图像的电子照相设备和处理盒。
用于解决问题的方案
根据本发明的一个方面,提供充电构件,其包括基体、弹性层和表面层,其中表面层含有具有由以下通式(1)、化学式(2)和通式(3)表示的构成单元,并且具有Si-O-Ti键、Ti-O-M键和Si-O-M键的高分子化合物。
TiO4/2 化学式(2)
MO5/2 通式(3)
通式(3)中,M为选自由V、Nb和W组成的组的任意原子。通式(1)中,R1和R2各自独立地表示以下通式(4)-(7)的任意一种。
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