[发明专利]延长的选择栅寿命

权利要求书

1.一种存储器装置，包括：

集成电路中的两个或两个以上存储器单元；

耦合到所述两个或两个以上存储器单元的至少一个选择栅，其中所述至少一个选择栅包括闪速单元；以及

用于在所述集成电路的正常操作期间接受选择栅擦除命令和选择栅编程命令的接口；

所述集成电路能够执行操作以便：

提供与所述至少一个选择栅的电压阈值有关的信息；

响应于所述选择栅擦除命令，擦除所述至少一个选择栅；以及

响应于所述选择栅编程命令，将所述至少一个选择栅编程。

2.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述两个或两个以上存储器单元组织成NAND串；并且

所述至少一个选择栅包括在相反端耦合到所述NAND串的第一闪速单元和第二闪速单元，所述第一闪速单元用作选择栅源极，而所述第二闪速单元用作选择栅漏极。

3.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述至少一个选择栅和所述两个或两个以上存储器单元包括浮栅场效应晶体管。

4.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述至少一个选择栅在执行所述选择栅擦除操作之后具有约0伏或更小的电压阈值，并且在执行所述选择栅编程操作之后具有大于约0伏的电压阈值。

5.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述两个或两个以上存储器单元的控制栅在所述选择栅擦除操作期间浮动，并且所述两个或两个以上存储器单元的状态不因为所述选择栅擦除操作而改变。

6.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述接口进一步接受擦除命令并提供状态信息；

所述集成电路能够响应于所述擦除命令执行擦除所述两个或两个以上存储器单元的操作；

其中响应于擦除所述两个或两个以上存储器单元的故障的操作而提供的所述状态信息包括指示所述故障的原因的信息，所述故障选自由低选择栅电压阈值和高选择栅电压阈值组成的群组。

7.如权利要求6所述的存储器装置，如果所述故障选自由低选择栅电压阈值和高选择栅电压阈值组成的群组，则所述集成电路能够响应于擦除所述两个或两个以上存储器单元的所述故障的操作而执行将包括所述两个或两个以上存储器单元的存储器单元区块编程的操作。

8.如权利要求1所述的存储器装置，还包括包含所述两个或两个以上存储器单元的存储器单元区块；

所述接口还接受区块编程命令；并且

所述集成电路能够执行将所述存储器单元区块编程的操作。

9.一种用于管理存储器装置的方法，包括：

提供与存储器装置中选择栅的电压阈值有关的信息；

响应于在所述存储器装置的正常操作期间接收的选择栅擦除命令，擦除用作所述选择栅的闪速单元；以及

在所述存储器装置的正常操作期间，响应于选择栅编程命令，将用作所述选择栅的所述闪速单元编程；

其中耦合到所述存储器装置中所述选择栅的存储器单元的状态不因为用作所述选择栅的所述闪速单元的所述擦除和所述编程而改变。

10.如权利要求9所述的方法，还包括：

在用作所述选择栅的所述闪速单元的所述擦除期间，使所述存储器单元的控制栅浮动。

11.如权利要求9所述的方法，还包括：

响应于擦除命令，执行擦除所述存储器单元的擦除操作；以及

提供由于故障的擦除操作而引起的状态信息，所述状态信息包括与用作所述选择栅的所述闪速单元的电压阈值有关的信息。

12.如权利要求11所述的方法，其中与用作所述选择栅的所述闪速单元的电压阈值有关的所述状态信息包括选自由所述电压阈值低于第一预定值和所述电压阈值大于第二预定值组成的群组的指示。

13.如权利要求9所述的方法，还包括：在所述存储器装置的正常操作期间，响应于编程命令，执行将所述存储器单元编程的编程操作。