[发明专利]静电电容型输入装置及其制造方法、以及具备其的图像显示装置有效
申请号: | 201380026481.7 | 申请日: | 2013-06-12 |
公开(公告)号: | CN104321195B | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 后藤英范;有冨隆志 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | B32B27/20 | 分类号: | B32B27/20;B32B27/00;G03F7/004;G06F3/041;G06F3/044 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 马雯雯,臧建明 |
地址: | 日本东京港区*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转印膜 静电 电容 输入 装置 制造 方法 以及 具备 图像 显示装置 | ||
1.一种静电电容型输入装置的制造方法,其是包括前面板、在所述前面板的非接触侧至少包含下述(1)及(3)~(5)的要素的静电电容型输入装置的制造方法,且其特征在于包含:
提供转印膜的步骤,其中所述转印膜包含临时支撑体与着色层,
将所述的转印膜的所述着色层转印于所述前面板的非接触侧而至少形成(1)装饰层的步骤;
(1)装饰层
(3)多个垫部分经由连接部分而在第一方向上延伸而形成的多个第一透明电极图案
(4)与所述第一透明电极图案电绝缘,且在与所述第一方向交叉的方向上延伸而形成的包含多个垫部分的多个第二电极图案
(5)使所述第一透明电极图案与所述第二电极图案电绝缘的绝缘层,
其中所述着色层至少包含(A)白色无机颜料、
(B)改性硅酮树脂、或在分子内至少含有由下述通式(1)所表示的硅氧烷结构与下述通式(2)所表示的硅氧烷结构共缩合而成的硅氧烷结构的纯硅酮树脂、及
(C)磷酸系抗氧化剂、磷酸系抗氧化剂与受阻酚系抗氧化剂的并用、磷酸系抗氧化剂与半受阻酚系抗氧化剂的并用、或在分子内具有磷酸系/受阻酚系的混合型抗氧化剂,
通式(1)
通式(1)中,R1独立地表示氢原子、卤素原子、碳数1~20的直链状、分支状或环状的烷氧基、碳数1~20的直链状、分支状或环状的烷基、碳数1~20的直链状、分支状或环状的经取代的烷基、碳数2~20的直链状、分支状或环状的烯基、碳数6~20的芳基或碳数7~20的芳烷基,
通式(2)
通式(2)中,R2与上述通式(1)的R1同义,
所述白色无机颜料相对于所述着色层的总固体成分的含有率为20质量%~75质量%。
2.根据权利要求1所述的静电电容型输入装置的制造方法,其特征在于,
所述通式(1)中,R1独立地表示氢原子、碳数1~20的直链状、分支状或环状的烷基、碳数1~6的直链状、分支状或环状的经取代的烷基或碳数6~9的芳基。
3.根据权利要求1所述的静电电容型输入装置的制造方法,其特征在于,
所述通式(1)中,R1独立地表示氢原子、甲基或甲苯基。
4.根据权利要求1所述的静电电容型输入装置的制造方法,其特征在于,
所述着色层的厚度为1μm~40μm。
5.根据权利要求1所述的静电电容型输入装置的制造方法,其特征在于,
所述白色无机颜料是利用无机物进行了表面处理的金红石型氧化钛。
6.根据权利要求5所述的静电电容型输入装置的制造方法,其特征在于,
所述金红石型氧化钛是至少利用氧化铝、氧化锆的任一个进行了表面处理的金红石型氧化钛。
7.根据权利要求1所述的静电电容型输入装置的制造方法,其特征在于,
在所述临时支撑体与所述着色层之间具有热塑性树脂层。
8.根据权利要求1所述的静电电容型输入装置的制造方法,其特征在于,
所述静电电容型输入装置进一步包含(6)与所述第一透明电极图案及所述第二电极图案的至少一个电性连接、且与所述第一透明电极图案及所述第二电极图案不同的导电性要素。
9.根据权利要求1所述的静电电容型输入装置的制造方法,其特征在于,
所述第二电极图案是透明电极图案。
10.根据权利要求1所述的静电电容型输入装置的制造方法,其特征在于,
在0.08atm~1.2atm的环境下将所述转印膜的所述着色层加热至180℃~300℃而形成所述(1)装饰层。
11.根据权利要求10所述的静电电容型输入装置的制造方法,其特征在于,
在空气环境下进行所述着色层的加热。
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