[发明专利]用于电缆的扼流圈

权利要求书

1.一种电学系统，包括：

电缆，具有绝缘外层护套；以及

扼流圈，被配置为至少抑制具有目标波长的电磁干扰EMI和/或射频干扰RFI，所述扼流圈包括：

导电套，所述导电套被布置在所述电缆的所述绝缘外层护套上；以及

额外绝缘材料，所述额外绝缘材料被布置在所述导电套与所述电缆的所述绝缘外层护套之间，其中所述额外绝缘材料被配置为增加所述扼流圈对EMI和/或RFI的抑制。

2.根据权利要求1所述的电学系统，还包括：天线元件，其中所述电缆将所述天线元件耦合到电学组件。

3.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述电缆具有半径，并且所述额外绝缘材料的厚度为所述电缆的所述半径的约1％至约200％。

4.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述电缆具有半径，并且所述额外绝缘材料的厚度为所述电缆的所述半径的约25％至约100％。

5.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述电缆具有半径，并且所述额外绝缘材料的厚度为所述电缆的所述半径的约50％至约100％。

6.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述额外绝缘材料具有与所述电缆的所述绝缘外层护套不同的材料类型。

7.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述导电套是半波套。

8.根据权利要求7所述的电学系统，其中，所述导电套的长度与所抑制的所述EMI和/或RFI的自由空间目标波长的一半相差一定量，其中所述导电套的所述长度是至少部分地基于以下一项或多项来确定的：所述绝缘外层护套的厚度、所述绝缘外层护套的介电常数、所述额外绝缘材料的厚度、所述额外绝缘材料的介电常数、以及所述导电套的边缘效应。

9.根据权利要求8所述的电学系统，其中，所述导电套的长度比所述自由空间目标波长的一半短所述量。

10.根据权利要求8所述的电学系统，其中，所述导电套的长度比所述自由空间目标波长的一半短约1％至约90％。

11.根据权利要求8所述的电学系统，其中，所述导电套的长度比所述自由空间目标波长的一半短约5％至约50％。

12.根据权利要求7所述的电学系统，其中，所述导电套与所述电缆电绝缘。

13.根据权利要求7所述的电学系统，其中，所述导电套的长度约为所抑制的所述EMI和/或RFI的所述目标波长的约一半。

14.根据权利要求1所述的电学系统，还包括：外层绝缘层，所述外层绝缘层被布置在所述导电套上。

15.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述导电套绕着所述电缆的整个横截面周界延伸。

16.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述扼流圈被配置为抑制共模EMI和/或RFI。

17.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述扼流圈被配置为抑制具有包括所述目标波长的波长范围的EMI和/或RFI。

18.一种天线系统，包括：

天线元件；

同轴电缆，所述同轴电缆将所述天线元件耦合到电学组件并且具有绝缘外层护套；以及

扼流圈，被配置为抑制具有目标波长的电磁干扰EMI和/或射频干扰RFI，所述扼流圈包括：

第一导电套，所述第一导电套具有第一长度并且被配置为布置在电缆的外表面上；

第一绝缘层，所述第一绝缘层被布置在所述第一导电套与所述电缆的所述绝缘外层护套之间；

第二导电套，所述第二导电套具有第二长度并且被布置在所述第一导电套上；以及

第二绝缘层，所述第二绝缘层被布置在所述第一导电套与所述第二导电套之间。

19.根据权利要求18所述的天线系统，其中，所述第一长度为所述目标波长的约一半。

20.根据权利要求19所述的天线系统，其中，所述第二导电套被配置为增加对所述目标波长的EMI和/或RFI的抑制的量。

21.根据权利要求20所述的天线系统，其中，所述第二导电套的长度比所述第一导电套短。