[发明专利]键控晶片载体有效
申请号: | 201380026257.8 | 申请日: | 2013-03-01 |
公开(公告)号: | CN104321859A | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 桑迪普·克里希南;耿莫伊;亚历山大·I·古拉里;马修·金;瓦迪姆·博古斯拉夫斯基;史蒂文·克罗门霍伊克 | 申请(专利权)人: | 维易科仪器公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/205;C23C16/458 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;钟日红 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 键控 晶片 载体 | ||
1.一种用于化学气相沉积反应器的装置,所述装置包括晶片载体,晶片载体具有:
主体,其限定了朝向相反的顶表面和底表面,以及大体上垂直于所述顶表面和底表面的竖直旋转轴线;
至少一个晶片保持结构,其构造成使得晶片能够保持在其中,同时晶片的表面暴露在主体的顶表面;
凹部,其从所述主体的底表面延伸进入主体,所述凹部限定了外围;以及
键槽,其沿着第一横向轴线从所述凹部的外围向外突出远离旋转轴线。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述晶片载体的所述至少一个晶片保持结构包括限定在所述主体的顶表面上的多个口袋,每个口袋构造成使得晶片能够保持在其中,每个所述口袋均具有中心。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,至少一部分所述口袋设置成接近所述旋转轴线并且设置成围绕所述旋转轴线分布的圆形图案,在所述图案中相邻口袋的中心之间具有间隔,并且其中所述键槽与一个所述间隔对准。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,至少一部分设置成圆形图案的所述口袋围绕着所述竖直旋转轴线对称分布。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述晶片载体的所述主体具有参考标记,所述参考标记限定在所述顶表面、所述底表面或在所述主体的所述顶表面和所述底表面之间延伸的周面的至少其中一个上,所述参考标记对于成像机构可见,所述参考标记在围绕所述旋转轴线的周向方向上设置在相对于所述键槽的预定位置上。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,平行于所述晶片载体的底表面并且含有第一横向轴线的平面延伸穿过所述参考标记。
7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述晶片载体大体上是盘状的。
8.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述键槽是第一键槽,所述晶片载体还包括一个或多个第二键槽,每个所述第二键槽均沿着相应的横向轴线从所述凹部的外围向外突出远离所述旋转轴线。
9.一种用于化学气相沉积反应器的装置,所述装置包括:
反应室,其具有内部区域;和
主轴,其安装在所述反应室内,所述主轴具有:
沿着竖直旋转轴线延伸的传动轴,所述传动轴具有顶端、从所述顶端向下延伸的锥形部分和位于所述锥形部分下方的主要部分,所述锥形部分限定了围绕所述旋转轴线延伸并且具有在远离所述顶端的向下方向上逐渐增加的直径的锥形接触表面;以及
沿着横向于所述竖直旋转轴线的第一横向轴线从所述传动轴的所述主要部分向外突出的键。
10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述主轴具有沿着所述第一横向轴线延伸穿过所述传动轴的孔,并且所述键包括接合在所述孔内的柄。
11.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述主轴还限定了沿着所述竖直旋转轴线从所述传动轴的顶端延伸的凹部,其中所述主轴还包括可拆卸地接合在所述凹部中的叉,所述叉具有成对的叉齿,所述键的所述柄接合在所述叉的叉齿之间。
12.根据权利要求11所述的装置,其特征在于,所述键的所述柄具有位于所述叉的两个叉齿之间的中心部分和与所述中心部分相邻的末端部分,所述中心部分的宽度比所述叉的叉齿之间的间隔距离小,每个末端部分的宽度比所述间隔距离大,以便将所述键锁在两个叉齿之间并且通过所述叉来保持所述键以防止其相对于所述传动轴沿着所述第一横向轴线移动。
13.根据权利要求12所述的装置,其特征在于,所述键的所述中心部分包括朝向相反的大体上为平面的侧表面,每个所述侧表面设置成接近所述叉齿的其中一个的表面,以便所述键通过所述叉旋转固定以防止其围绕所述第一横向轴线旋转。
14.根据权利要求11所述的装置,其特征在于,所述键和所述叉均大致上由第一材料组成,并且其中所述传动轴大致上由不同于所述第一材料的第二材料组成。
15.根据权利要求11所述的装置,其特征在于,所述叉包括螺纹孔,并且所述螺纹孔暴露在所述传动轴的顶端。
16.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述键具有设置在所述传动轴的外侧的尖端部分,所述尖端部分在平行于所述竖直旋转轴线的纵向方向上的高度比所述孔的直径大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造