[发明专利]发光器件、包括该发光器件的显示部以及电子设备无效
| 申请号: | 201380026234.7 | 申请日: | 2013-07-18 |
| 公开(公告)号: | CN104335380A | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
| 发明(设计)人: | 和泉健一;花轮幸治;山田二郎 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 器件 包括 显示 以及 电子设备 | ||
1.一种发光器件,其包括:
第一电极;
有机层,所述有机层包括发光层;
电阻层,所述电阻层包括氧化锌;以及
第二电极,
所述第一电极、所述有机层、所述电阻层和所述第二电极按此顺序而被设置着,
其中所述氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量。
2.如权利要求1所述的发光器件,其中所述氧化锌的所述晶体取向包括(002)分量以及除了所述(002)分量以外的至少一个分量。
3.如权利要求1所述的发光器件,其中所述氧化锌的所述晶体取向包括(002)分量和(101)分量。
4.如权利要求3所述的发光器件,其中所述氧化锌的所述(101)分量相对于所述(002)分量的比率亦即(101)/(002)是大约5%以上。
5.如权利要求1所述的发光器件,其中所述电阻层的体积电阻率是在从大约1×102欧姆米到大约1×106欧姆米且含两端点的范围内,并且所述电阻层的厚度是在从大约0.1微米到大约10微米且含两端点的范围内。
6.如权利要求1所述的发光器件,其中所述电阻层的体积电阻率是在从大约5×102欧姆米到大约5×104欧姆米且含两端点的范围内,并且所述电阻层的厚度是在从大约0.15微米到大约1微米且含两端点的范围内。
7.如权利要求1所述的发光器件,其中所述氧化锌在X射线衍射中包括多个峰。
8.如权利要求1所述的发光器件,其中所述电阻层包括与所述氧化锌一起的添加剂。
9.如权利要求8所述的发光器件,其中所述添加剂包括下列元素中的至少一种元素:锡(Sn)、铟(In)、镓(Ga)、镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、硅(Si)、铊(Tl)、铋(Bi)、铅(Pb)。
10.如权利要求1所述的发光器件,其中
在所述电阻层与所述有机层之间包括半透射型反射膜,并且
来自所述发光层的光在位于所述第一电极与所述有机层间的第一界面和位于所述半透射型反射膜与所述有机层间的第二界面之间发生共振。
11.一种显示部,其设置有多个发光器件,各所述发光器件包括:
第一电极;
有机层,所述有机层包括发光层;
电阻层,所述电阻层包括氧化锌;以及
第二电极,
所述第一电极、所述有机层、所述电阻层和所述第二电极按此顺序而被设置着,
其中所述氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量。
12.一种电子设备,其设置有显示部,所述显示部设置有多个发光器件,各所述发光器件包括:
第一电极;
有机层,所述有机层包括发光层;
电阻层,所述电阻层包括氧化锌;以及
第二电极,
所述第一电极、所述有机层、所述电阻层和所述第二电极按此顺序而被设置着,
其中所述氧化锌的晶体取向包括多个晶面指数分量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





