[发明专利]固体摄像装置有效
| 申请号: | 201380026040.7 | 申请日: | 2013-03-13 |
| 公开(公告)号: | CN104303303B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
| 发明(设计)人: | 小林宏也;村松雅治 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L31/0232;H04N5/335 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人: | 杨琦 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
技术领域
本发明涉及固体摄像装置。
背景技术
已知有一种固体摄像装置,其包括:具有光入射端面和光射出端面的纤维光学板;和光入射面与纤维光学板的光射出端面光学结合的半导体光检测元件(例如,参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2000-162724号公报
发明内容
发明所要解决的课题
为了使固体摄像装置的检测灵敏度提高,考虑采用背面入射型的半导体光检测元件作为半导体光检测元件。但是,在采用了背面入射型的半导体光检测元件的固体摄像装置中,担心存在以下的问题。
背面入射型的半导体光检测元件具有相互相对的第一主面和第二主面。背面入射型的半导体光检测元件通常将光感应区域设置于第一主面侧,并且使与光感应区域对应的部分以残留该部分的周边部分的方式从第二主面侧被薄化。因此,在纤维光学板配置于背面入射型的半导体光检测元件的状态下,纤维光学板的光射出端面和半导体光检测元件中的被薄化的部分只离开由半导体光检测元件的被薄化的部分和周边部分构成的台阶差的程度。纤维光学板的光射出端面与半导体光检测元件中的被薄化的部分离开时,则从纤维光学板的光射出端面射出的光进行扩散直至入射到半导体光检测元件。其结果,固体摄像装置的解像度(空间分辨率)降低。
本发明的目的在于,提供一种即使在采用背面入射型的半导体光检测元件的情况下也能够抑制解像度的降低的固体摄像装置。
解决课题的技术手段
本发明为固体摄像装置,其具有:背面入射型的半导体光检测元件,其具有相互相对的第一主面和第二主面,在第一主面侧设置有光感应区域,并且与光感应区域对应的部分以残留该部分的周边部分的方式从第二主面侧被薄化;封装体(package),其具有相互相对的第三主面和第四主面,在第三主面和第四主面开口,并且形成有收纳半导体光检测元件的收纳空间;纤维光学板,其具有光入射端面和光射出端面,光射出端面以与第二主面相对的方式配置;和保护部件,其从第一主面侧被固定于半导体光检测元件,保护半导体光检测元件的被薄化的部分,纤维光学板的光入射端面侧的部分从第三主面向封装体的外侧突出,纤维光学板的光射出端面侧的部分包括:与半导体光检测元件的周边部分对应的第一部分;和与半导体光检测元件的被薄化的部分对应,并且比第一部分更向半导体光检测元件突出的第二部分,由纤维光学板的第一部分和第二部分构成的台阶差的高度比由半导体光检测元件的被薄化的部分和周边部分构成的台阶差的高度低,半导体光检测元件和纤维光学板,通过填充在光射出端面和被薄化的部分之间的、相对于被检测光为光学透明的树脂,以使第一部分和周边部分接触并且使第二部分和被薄化的部分离开的状态被固定,纤维光学板的第二部分和半导体光检测元件的被薄化的部分通过树脂而被光学结合。
在本发明中,纤维光学板的光射出端面侧的部分包括:与半导体光检测元件的周边部分对应的第一部分;和与半导体光检测元件的被薄化的部分对应,并且比第一部分更向半导体光检测元件突出的第二部分。因此,在纤维光学板配置于背面入射型的半导体光检测元件的状态下,纤维光学板的第二部分中的光射出端面和半导体光检测元件中的被薄化的部分接近。因此,从纤维光学板的第二部分中的光射出端面射出的光难以进行扩散直至入射到半导体光检测元件,能够抑制固体摄像装置的解像度(空间分辨率)降低。
由纤维光学板的第一部分和第二部分构成的台阶差的高度设定为比由半导体光检测元件的被薄化的部分和周边部分构成的台阶差的高度低。半导体光检测元件和纤维光学板以使第一部分和周边部分接触并且使第二部分和被薄化的部分分离的状态被固定。由此,即使在纤维光学板的第二部分中的光射出端面和半导体光检测元件中的被薄化的部分接近的状态下,半导体光检测元件中的被薄化的部分和纤维光学板(第二部分)也不接触。因此,能够防止由于纤维光学板的接触等而使半导体光检测元件的被薄化的部分受到损伤。
保护部件从第一主面侧被固定于半导体光检测元件,保护半导体光检测元件的被薄化的部分。由此,能够在机械上增强半导体光检测元件中的被薄化的部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





