[发明专利]温度受控的集成压电谐振器

权利要求书

1.一种集成谐振器设备，其包括：

压电谐振器；

第一声学布拉格反射器，其耦合到所述压电谐振器；

衬底，所述第一声学布拉格反射器设置在衬底上；

有源加热器层，其覆盖所述压电谐振器，由所述有源加热器层产生的热量能够由通过所述有源加热器层提供的电流量控制；以及

第二声学布拉格反射器，其位于所述有源加热器层和所述压电谐振器之间。

2.根据权利要求1所述的谐振器设备，其中所述有源加热器层包括钽铝合金薄膜。

3.根据权利要求1所述的谐振器设备，其中所述第一声学布拉格反射器包括高声学阻抗和低声学阻抗的交替层。

4.根据权利要求3所述的谐振器设备，其中高声学阻抗和低声学阻抗的每层是所述压电谐振器的谐振频率的四分之一波长。

5.根据权利要求1所述的谐振器设备，进一步包括在所述第一声学布拉格反射器和所述衬底之间的温度传感器层。

6.根据权利要求5所述的谐振器设备，其中所述温度传感器层包括掺杂的多晶硅。

7.根据权利要求5所述的谐振器设备，进一步包括温度补偿层，其具有与所述压电谐振器的压电层的频率的温度系数相同、但符号相反的频率的温度系数。

8.根据权利要求1所述的谐振器设备，进一步包括温度补偿层，其具有与所述压电谐振器的压电层的频率的温度系数相同、但符号相反的频率的温度系数。

9.根据权利要求8所述的谐振器设备，其中所述温度补偿层包括氮化铝。

10.一种具有集成谐振器设备的系统，其包括：

集成谐振器设备，其包括：压电谐振器；耦合到所述压电谐振器的声学布拉格反射器；覆盖所述压电谐振器的有源加热器层；

所述集成谐振器设备也包括温度传感器层；和

电路，其从所述温度传感器层接收指示温度的温度信号，并基于所述温度信号控制到所述有源加热器层的电流量。

11.根据权利要求10所述的系统，其中所述压电谐振器包括在两个电极之间的压电层，并且所述谐振器设备进一步包括温度补偿层，其具有与所述谐振器中的所述压电层的频率的温度系数相同、但符号相反的频率的温度系数，其中所述温度补偿层被提供在所述电极中的一个和所述压电层之间。

12.根据权利要求10所述的系统，其中所述温度传感器层包括掺杂的多晶硅。

13.根据权利要求10所述的系统，其中所述有源加热器层包括钽铝合金薄膜。

14.根据权利要求10所述的系统，其中所述温度补偿层包括二氧化硅。

15.根据权利要求10所述的系统，进一步包括设置在衬底和所述声学布拉格反射器之间的温度补偿层。

16.一种形成具有布拉格反射器的压电谐振器的方法，其包括：

在衬底上方沉积低声学阻抗材料和高声学阻抗材料的交替介电层，所述衬底限定所述布拉格反射器；

在所述交替介电层上方沉积第一谐振器电极；

在所述第一谐振器电极上方沉积压电层；

在所述压电层上方沉积第二谐振器电极；以及

在所述第二谐振器电极上方沉积有源加热器层；

其中进一步包括在所述衬底和所述交替介电层之间沉积温度传感器层。

17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括在所述衬底和所述交替介电层之间沉积温度补偿层。