[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201380025842.6 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN104335353B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 岸智弥;广濑研太;森田晋也;钉宫敏洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，在基板上至少按顺序具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极和保护所述源-漏电极的保护膜，
所述氧化物半导体层是具有由In、Ga、Zn、Sn和O构成的第一氧化物半导体层以及由In、Ga、Zn和O构成的第二氧化物半导体层的层叠体，
所述第二氧化物半导体层形成于所述栅极绝缘膜之上，并且所述第一氧化物半导体层形成于所述第二氧化物半导体层与所述保护膜之间，并且，
在所述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量按原子％计为
In：25％以下且不含0％、
Ga：5％以上、
Zn：30.0～60.0％、和
Sn：8～30％。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物半导体层相对于源-漏电极用湿蚀刻液的蚀刻速率，是所述源-漏电极的蚀刻速率的1/2以下。
3.一种薄膜晶体管，其特征在于，在基板上至少按顺序具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极、蚀刻阻挡层和保护所述源-漏电极的保护膜，
所述氧化物半导体层是具有由In、Ga、Zn、Sn和O构成的第一氧化物半导体层以及由In、Ga、Zn及O构成的第二氧化物半导体层的层叠体，
所述第二氧化物半导体层形成于所述栅极绝缘膜之上，并且所述第一氧化物半导体层形成于所述第二氧化物半导体层与所述蚀刻阻挡层之间，并且，
在所述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量按原子％计为
In：25％以下且不含0％、
Ga：8.0％以上、
Zn：30.0～60.0％、和
Sn：5～35％。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述第二氧化物半导体层的厚度为0.5nm以上。
5.一种显示装置，其具备权利要求1～3中任一项所述的薄膜晶体管。
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