[发明专利]带粘接性树脂层的片和半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201380025270.1 申请日: 2013-05-14
公开(公告)号: CN104271694B 公开(公告)日: 2017-03-22
发明(设计)人: 堀米克彦;佐藤明德;根津裕介 申请(专利权)人: 琳得科株式会社
主分类号: C09J7/02 分类号: C09J7/02;B32B27/00;C09J201/00;H01L21/52
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 蔡晓菡,刘力
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 带粘接性 树脂 半导体 装置 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及在拾取芯片状部件(半导体芯片)的工序、或者拾取芯片状部件且将芯片状部件小片接合(die bonding)至有机基板、引线框及其它芯片状部件等的工序中使用时特别适合的带粘接性树脂层的片。另外,本发明涉及使用了该片的半导体装置的制造方法。

背景技术

信息终端设备的薄型化、小型化、多功能化正在快速发展,对搭载于它们的半导体装置也同样地要求薄型化、高密度化。尤其是,对于存储芯片而言,通过将硅晶圆减薄加工至极限并进行多层层叠化,从而进行了高容量化。

对应于这种半导体装置的趋势,在半导体加工工艺中,晶圆的极薄加工方法成为重点,考量·评价了各种薄型化加工方法。作为这种薄型化加工方法,公开了从晶圆表面侧形成规定深度的槽后,从其背面侧进行研削来制造半导体芯片的方法。这样的工艺也被称为“超薄芯片封装解决法(先ダイシング法)”。

对于超薄芯片封装解决法而言,晶圆表面贴附有保护片,在晶圆的背面研削过程中,晶圆进行芯片化。因此,为了防止研削时的洗涤水浸入至芯片间,需要的是,所使用的保护片的在晶圆表面上的贴附性优异。像这样,为了贴附于晶圆的电路面而提高保护片的粘合性时,存在剥离后的电路面的粘合剂残渣变多的倾向,因此在超薄芯片封装解决法中,尤其是需要抑制粘合剂残渣的产生。

专利文献1中公开了:为了抑制超薄芯片封装解决法中产生粘合剂残渣,使用具有特定的能量射线固化型粘合剂层的粘合片。

另外,作为抑制超薄芯片封装解决法中产生粘合剂残渣的其它方法,还存在通过加热工序使保护片的粘合性降低来剥离保护片的方法。在剥离保护片时,将由用于转粘芯片的芯片粘接用粘接剂层与基材构成的粘接片、由用于进行拾取的粘合剂层与基材构成的粘合片贴附于与贴附有保护片的面相反的面上。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利特开2009-138183号公报。

发明内容

发明要解决的课题

然而,在用于剥离保护片的加热工序中,粘接片或粘合片与保护片一起被加热,有时粘接片或粘合片中的基材会收缩。伴随着基材的收缩,该片的粘接剂层、粘合剂层也会变形,难以保持芯片的整齐性。其结果,有时芯片彼此接触而导致芯片损伤、芯片的拾取性降低。

进而,在剥离保护片时要贴附的是粘接片的情况下,有时采取使芯片粘接用粘接剂通过加热而软化从而贴附于芯片的方法,因此有时会产生与加热上述保护片的情况相同的问题。

本发明是鉴于上述那样的状况而进行的,其目的在于,提供在保持了芯片状部件的整齐性的情况下能够转印芯片状部件的带粘接性树脂层的片。另外,其目的在于,提供使用了该片的半导体装置的制造方法。

用于解决问题的手段

本发明的主旨如下所示。

〔1〕带粘接性树脂层的片,其包含基材和层叠在该基材上的粘接性树脂层,

以70℃加热1分钟后的基材的MD方向和CD方向的收缩率为-0.5~0.5%,

基材的硬挺度为80mm以上。

〔2〕根据〔1〕所述的带粘接性树脂层的片,其中,基材的杨氏模量与基材的厚度之积为1.0×105N/m以下。

〔3〕根据〔1〕或〔2〕所述的带粘接性树脂层的片,其中,基材是包含低密度聚乙烯膜与聚丙烯膜的层叠体。

〔4〕根据〔1〕~〔3〕中任一项所述的带粘接性树脂层的片,其中,基材是将低密度聚乙烯膜、聚丙烯膜以及低密度聚乙烯膜依次层叠而成的层叠体。

〔5〕根据〔1〕~〔4〕中任一项所述的带粘接性树脂层的片,其中,粘接性树脂层为树脂膜形成层。

〔6〕根据〔5〕所述的带粘接性树脂层的片,其中,树脂膜形成层包含粘结剂聚合物成分(A)和固化性成分(B)。

〔7〕根据〔5〕或〔6〕所述的带粘接性树脂层的片,其中,树脂膜形成层具有热粘接性。

〔8〕根据〔5〕~〔7〕中任一项所述的带粘接性树脂层的片,其中,树脂膜形成层借助再剥离性粘合剂层而层叠在基材上。

〔9〕根据〔1〕~〔4〕中任一项所述的带粘接性树脂层的片,其中,粘接性树脂层为压敏胶粘剂层。

〔10〕半导体装置的制造方法,其包括如下工序:

在上述〔1〕~〔9〕中任一项所述的带粘接性树脂层的片的粘接性树脂层上贴附芯片状部件的工序;以及

拾取该芯片状部件的工序。

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