[发明专利]发光二极管(LED)的晶圆级封装无效
| 申请号: | 201380024612.8 | 申请日: | 2013-03-25 |
| 公开(公告)号: | CN104285277A | 公开(公告)日: | 2015-01-14 |
| 发明(设计)人: | M·J·伯格曼;D·T·爱默生;J·G·克拉克;C·P·赫塞尔 | 申请(专利权)人: | 克里公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金晓 |
| 地址: | 美国北*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 led 晶圆级 封装 | ||
1.一种制造多个发光二极管LED的方法,所述方法包括:
提供包括LED衬底上的多个LED管芯的LED晶圆,所述多个LED管芯包括在其远离所述LED衬底的面上的阳极接触和阴极接触;
提供载体晶圆;
将所述LED晶圆和所述载体晶圆接合,使得所述阳极接触和阴极接触邻近所述载体晶圆且所述LED衬底远离所述载体晶圆;
成形接合到所述载体晶圆的所述LED晶圆;
施加波长转换材料到所述成形的LED晶圆;以及
将所述载体晶圆和所述LED晶圆切单以提供多个LED管芯,所述LED晶圆已经接合到所述载体晶圆且已经成形且具有施加于该LED晶圆的波长转换材料,所述多个LED管芯中的相应LED管芯接合到相应的载体管芯,且具有与其所接合到的载体管芯类似的长度和宽度。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
将所述载体晶圆划线以限定多个载体管芯,所述多个载体管芯具有与所述多个LED管芯类似的长度和宽度。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述划线在所述接合之前或者之后执行。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述成形包括斜切所述LED衬底。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述成形包括纹理化所述LED衬底。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述成形包括减薄或者去除所述LED衬底。
7.根据权利要求6所述的方法,其中在所述减薄或者去除之后纹理化所述LED管芯。
8.根据权利要求5所述的方法,其中所述成形进一步包括斜切所述LED衬底。
9.根据权利要求6所述的方法,其中所述成形进一步包括斜切所述LED管芯。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述LED管芯和所述载体管芯具有在长度上在彼此的100μm之内的边。
11.根据权利要求1所述的方法,其中所述LED管芯和所述载体管芯具有相同的边长。
12.根据权利要求1所述的方法,其中在所述切单之后:
去除所述相应的载体管芯。
13.根据权利要求1所述的方法,其中在所述切单之后:
将所述LED管芯中的至少一个直接安装在照明灯具安装板上;以及
将所述照明灯具安装板安装在照明灯具外壳中以提供照明灯具,所述照明灯具安装板包括直接安装在所述照明灯具安装板上的所述LED管芯中的至少一个。
14.根据权利要求13所述的方法,其中执行将所述LED管芯中的至少一个直接安装在照明灯具安装板上和将所述照明灯具安装板安装在照明灯具外壳中以提供照明灯具,而不在所述LED管芯中的至少一个上提供拱顶,所述照明灯具安装板包括直接安装在所述照明灯具安装板上的所述LED管芯中的至少一个。
15.根据权利要求1所述的方法,其中提供载体晶圆包括提供载体晶圆,所述载体晶圆包括在其相对面上的接触阵列和将所述相对面上的相应的接触彼此电气地连接的通孔阵列。
16.根据权利要求15所述的方法,其中在所述相对面上的接触阵列中的相应接触在其之间具有不同的尺寸。
17.一种发光二极管LED,包括:
包括LED外延区域的半导体LED管芯;以及
电气地连接到所述LED管芯的载体管芯,其中所述LED外延区域和所述载体管芯具有在长度上在彼此的100μm之内的边。
18.根据权利要求17所述的LED,其中所述LED外延区域和所述载体管芯具有相同的边长。
19.根据权利要求17所述的LED,其中所述LED产生至少约200流明每瓦每平方毫米。
20.根据权利要求17所述的LED,其中所述LED产生至少100流明每瓦每平方毫米。
21.根据权利要求17所述的LED,其中所述LED产生至少45流明每瓦每平方毫米。
22.根据权利要求17所述的LED,其中所述LED产生至少约140流明的暖白光每瓦每平方毫米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





