[发明专利]压电陶瓷、用于制造压电陶瓷的方法、压电元件和电子装置在审
申请号: | 201380024609.6 | 申请日: | 2013-03-21 |
公开(公告)号: | CN104271533A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 斋藤宏;村上俊介;上田未纪;田中秀典;松田坚义;渡边隆之;久保田纯 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/49;H01L41/187;H02N2/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 贾金岩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 陶瓷 用于 制造 方法 元件 电子 装置 | ||
1.一种压电陶瓷,包括:主要组分,所述主要组分包含钙钛矿型金属氧化物,所述钙钛矿型金属氧化物具有以下通式(1);作为第一辅助组分的Mn;和包含选自由Cu、B和Si组成的组中的至少一种元素的第二辅助组分,
(Ba1-xCax)a(Ti1-yZry)O3(0.100≤x≤0.145,0.010≤y≤0.039) (1)
其中,每摩尔所述金属氧化物中的Mn的摩尔量b处于0.0048≤b≤0.0400的范围内,所述第二辅助组分的含量以金属计为在每100重量份所述金属氧化物中占0.001重量份以上且4.000重量份以下,并且所述通式(1)中的值a处于0.9925+b≤a≤1.0025+b的范围内。
2.根据权利要求1所述的压电陶瓷,其中,所述压电陶瓷的多个晶粒的平均等效圆直径为1μm以上且10μm以下,并且等效圆直径为25μm以下的晶粒占总晶粒数量的99%以上。
3.根据权利要求1或者2所述的压电陶瓷,其中,所述压电陶瓷的相对密度为90%以上且100%以下。
4.一种用于制造根据权利要求1至3中的任意一项所述的压电陶瓷的方法,包括:在1200℃以下的温度条件下烧结包含Ba、Ca、Ti、Zr、Mn和选自由Cu、B和Si构成的组中的至少一种金属元素的压坯。
5.一种压电元件,包括:压电陶瓷;第一电极;和第二电极,其中,所述压电陶瓷是根据权利要求1至3中的任意一项所述的压电陶瓷。
6.一种多层压电元件,包括:上下交替叠置的压电陶瓷层和电极层,所述电极层包括内部电极,其中,所述压电陶瓷层由根据权利要求1至3中的任意一项所述的压电陶瓷形成。
7.根据权利要求6所述的多层压电元件,其中,所述内部电极包含Ag和Pd,并且所述Ag的重量M1与所述Pd的重量M2的重量比M1/M2处于0.25≤M1/M2≤8.0的范围内。
8.根据权利要求6所述的多层压电元件,其中,所述内部电极包含Ni和Cu中的至少一种。
9.一种用于制造根据权利要求6至8中的任意一项所述的多层压电元件的方法,包括:(A)制备至少包含Ba、Ca、Ti、Zr和Mn的金属化合物粉末的浆料;(B)由所述浆料形成压坯;(C)在所述压坯上形成电极;和(D)在1200℃以下的温度条件下烧结多个压坯以制造所述多层压电元件。
10.根据权利要求9所述的用于制造多层压电元件的方法,其中,所述浆料包含钙钛矿型金属氧化物,所述钙钛矿型金属氧化物包含Ba和Ca中的至少一种以及Ti和Zr中的至少一种。
11.一种液体排放头,包括:液体室;和与所述液体室连通的排放口,其中,所述液体室具有振动单元,所述振动单元包括根据权利要求5所述的压电元件或者根据权利要求6至8中的任意一项所述的多层压电元件。
12.一种液体排放设备,包括:记录介质运送单元;和根据权利要求11所述的液体排放头。
13.一种超声马达,包括:振动构件,所述振动构件包括根据权利要求5所述的压电元件或者根据权利要求6至8中的任意一项所述的多层压电元件;和与所述振动构件相接触的运动体。
14.一种光学设备,包括在驱动单元中的根据权利要求13所述的超声马达。
15.一种振动设备,包括振动构件,所述振动构件包括根据权利要求5所述的压电元件或者根据权利要求6至8中的任意一项所述的多层压电元件。
16.一种除尘装置,包括根据权利要求15所述的振动设备。
17.一种图像拾取设备,包括:根据权利要求16所述的除尘装置和图像拾取元件单元,其中,所述除尘装置包括在所述图像拾取元件单元的光入射侧上的振动构件。
18.一种电子装置,包括压电声学部件,所述压电声学部件包括根据权利要求5所述的压电元件或者根据权利要求6至8中的任意一项所述的多层压电元件。
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