[发明专利]显示器件的阻隔材料

权利要求书

1.在金属氧化物衬底的至少一个表面上沉积含硅梯度层或双层的方法，所述方法包括：

在反应室中提供所述衬底的所述至少一个表面；

将选自下列的硅前体引入所述反应室中：

a.三甲硅烷基胺(TSA)；

b.具有式R¹R²NSiH₃的二烷基氨基硅烷，其中R¹独立地选自C_1-10直链或支链烷基；C₄至C₁₀环烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；R²独立地选自C_1-10直链或支链烷基；C₄至C₁₀环烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；并且其中R¹和R²相连形成环或R¹和R²未相连形成环；

c.式R¹_nR²_mSiH_4-m-n的烷基硅烷，其中R¹独立地选自C_1-10直链或支链烷基；C₄至C₁₀环烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；R²独立地选自C_1-10直链或支链烷基；C₄至C₁₀环烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；并且其中R¹和R²相连形成环或R¹和R²未相连形成环；m是0、1、2、3；和n是1、2、3；

d.具有式R¹_n(OR²)_mSiH_4-m-n的烷基烷氧基硅烷，其中R¹独立地选自C_1-10直链或支链烷基；C₄至C₁₀环烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；R²独立地选自C_1-10直链或支链烷基；C₄至C₁₀环烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；并且其中R¹和R²相连形成环或R¹和R²未相连形成环；m是1、2、3或4；和n是0、1、2或3；

e.具有式(R¹R²N)_nSiH_4-n的有机氨基硅烷，其中R¹独立地选自C_1-10直链或支链烷基；C₄至C₁₀环烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；R²独立地选自C_1-10直链或支链烷基；C₄至C₁₀环烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；并且其中R¹和R²相连形成环或R¹和R²未相连形成环；和n是2、3或4；

f.异氰酸根合硅烷，选自四(异氰酸根合)硅烷和三(异氰酸根合)硅烷；

g.具有式R¹R²R³SiN₃的烷基叠氮基硅烷，其中R¹、R²和R³独立地选自C_1-10直链或支链烷基；C₄至C₁₀环烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；

h.具有式(R¹R²R³Si)₂(CH₂)_n的烷基桥接二硅烷，其中R¹、R²和R³独立地选自C_1-10直链或支链烷基；C₄至C₁₀环烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；并且n＝1、2、3；

i.具有式Si(OR¹)₄的烷氧基硅烷，其中R¹独立地选自C_1-10直链或支链烷基；C₄至C₁₀环烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；及其组合；

j.1,4-二硅杂丁烷；

将氧源引入所述反应室中；

在所述反应室中提供25℃至350℃的反应温度；和

在所述衬底的所述至少一个表面上沉积所述含硅梯度层的下部或所述双层的下层；

停止所述氧源；

将含氮源引入所述反应室中：

在所述衬底的所述至少一个表面上的所述含硅梯度层的下部或所述双层的下层上沉积所述含硅梯度层的上部或所述双层的上层；

其中所述硅前体不含氧并且所述沉积选自化学气相沉积(CVD)、等离子增强的化学气相沉积(PECVD)、循环化学气相沉积(CCVD)、等离子体增强的循环化学气相沉积(PECCVD)、原子层沉积(ALD)、和等离子体增强的原子层沉积(PEALD)。