[发明专利]具有光束形状修改的激光器

权利要求书

1.一种半导体芯片，其包含：

衬底；和

位于所述衬底上的外延激光器，所述外延激光器具有蚀刻腔面；

其中，所述衬底从所述蚀刻腔面向外延伸以形成天井，所述天井包含形成在其中的复数个台阶，各个连续的台阶从所述蚀刻腔面进一步向外延伸到所述衬底中，使得从所述激光器发出的光被反射离开所述复数个台阶中的至少之一以修改所述激光器的垂直远场。

2.如权利要求1所述的半导体芯片，其进一步包含至少一个反射侧壁，所述反射侧壁从所述蚀刻腔面向外延伸，各个侧壁均具有基本垂直于所述天井的表面的反射表面。

3.如权利要求2所述的半导体芯片，其进一步包含设置为相反于从所述蚀刻腔面向外延伸的所述天井的顶板，所述顶板具有相反于所述天井的所述表面的反射表面。

4.如权利要求1所述的半导体芯片，其进一步包含沉积在所述天井上的反射涂层。

5.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述衬底选自包含InP、GaAs和GaN的组。

6.一种半导体芯片，其包含：

衬底；

位于所述衬底上的外延激光器，所述外延激光器具有蚀刻腔面；

从所述蚀刻腔面向外延伸的天井，所述天井具有反射表面以及形成在其中的复数个台阶，各个连续的台阶从所述蚀刻腔面进一步向外延伸到所述衬底中；以及

从所述蚀刻腔面向外延伸的顶板，所述顶板具有相反于所述天井的所述反射表面的反射表面；

其中从所述激光器发出的光被反射离开所述复数个台阶中的至少之一和所述顶板以修改所述激光器的垂直远场。

7.如权利要求6所述的半导体芯片，其进一步包含至少一个从所述蚀刻腔面向外延伸的反射侧壁，各个侧壁均具有基本垂直于所述天井的所述反射表面的反射表面。

8.如权利要求6所述的半导体芯片，其中所述衬底选自包含InP、GaAs和GaN的组。

9.一种半导体芯片，其包含：

衬底；

位于所述衬底的表面上的外延激光器，所述外延激光器具有蚀刻腔面，所述蚀刻腔面具有与所述衬底的所述表面成非90°角度的表面；以及

邻近所述蚀刻腔面的结构，所述结构具有从所述蚀刻腔面向外延伸的至少两个相对的反射表面。

10.如权利要求9所述的半导体芯片，其中所述结构还包括具有反射表面的倾斜天井。

11.如权利要求10所述的半导体芯片，其中所述至少两个相对的反射表面包含至少两个反射侧壁，各个侧壁均具有基本垂直于所述天井的所述反射表面的反射表面。

12.如权利要求11所述的半导体芯片，其中各个侧壁通过间隙分离于所述蚀刻腔面。

13.如权利要求9所述的半导体芯片，其中所述结构还包括含有复数个具有反射表面的台阶的阶梯，各个连续的台阶从所述蚀刻腔面进一步向外延伸到所述衬底中。

14.如权利要求13所述的半导体芯片，其中所述至少两个相对的反射表面包含至少两个反射侧壁，各个侧壁均具有基本垂直于所述台阶的所述反射表面的反射表面。

15.如权利要求14所述的半导体芯片，其中各个侧壁通过间隙分离于所述蚀刻腔面。

16.如权利要求9所述的半导体芯片，其中所述衬底选自包含InP、GaAs和GaN的组。

17.一种混合动力总成，其包含：

基座，其具有天井的反射表面，所述天井具有含复数个台阶的向下阶梯，各个连续的台阶进一步延伸到所述基座中；以及

激光器，其具有有源层和有源侧朝下定位在所述基座上的至少一个腔面；

其中所述至少一个腔面被定位成邻近所述反射表面使得从所述激光器发出的光被反射离开所述复数个台阶中的至少之一以修改所述激光器的垂直远场。

18.如权利要求17所述的混合动力总成，其中所述基座为AlN或Si。

19.如权利要求17所述的混合动力总成，其中所述至少一个腔面为蚀刻腔面，其进一步包含邻近所述蚀刻腔面的反射结构。