[发明专利]乙烯传感器在审
申请号: | 201380023698.2 | 申请日: | 2013-03-15 |
公开(公告)号: | CN104412100A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | T.M.斯瓦杰;B.埃瑟;J.M.施诺尔 | 申请(专利权)人: | 麻省理工学院 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张文辉 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 乙烯 传感器 | ||
1.一种传感器,其包括:
包含碳-碳多重键部分的传导性材料,所述传导性材料与至少两个电极电通;以及
能够与碳-碳多重键部分相互作用的过渡金属络合物。
2.权利要求1的传感器,其中所述传导性材料包括碳纳米管。
3.权利要求2的传感器,其中所述过渡金属络合物能够与乙烯形成稳定复合物。
4.权利要求3的传感器,其中所述过渡金属络合物通过将所述过渡金属配位至所述碳-碳多重键部分以与所述碳纳米管相联。
5.权利要求3的传感器,其中所述过渡金属络合物通过所述碳纳米管与所述过渡金属络合物的配体间的共价键与所述碳纳米管相联。
6.权利要求3的传感器,其中所述过渡金属络合物通过与所述碳纳米管非共价相联的聚合物与所述碳纳米管相联。
7.权利要求1-3任一项的传感器,其中所述过渡金属络合物结合至所述传导性材料的所述碳-碳多重键部分。
8.权利要求1-7任一项的传感器,其中所述过渡金属络合物具有式(I):
其中:
M是过渡金属;
各R1独立为H、卤素、烷基或卤代烷基;
各R2独立为H、卤素、烷基、卤代烷基或芳基;
R3是H或烷基;且
L不存在或表示配体;
或者所述过渡金属络合物具有式(II):
其中:
M是过渡金属;
各R4独立为烷基、卤代烷基、芳基或三烷基甲硅烷基;
A是-CH(R5)-X-CH(R5)-,其中X是N或CH,且各R5独立为H、卤素、烷基或卤代烷基;或者A是-P(R6)2-,其中各R6独立为烷基;且
L不存在或表示配体。
9.权利要求8的传感器,其中所述过渡金属络合物具有下式:
其中:
各R1独立为H、甲基或三氟甲基;
各R2独立为H、甲基、三氟甲基或苯基;
R3是H或甲基;且
L不存在、为巯基或碳-碳多重键。
10.权利要求1的传感器,其中所述过渡金属络合物和所述碳-碳多重键部分与聚合物混合。
11.权利要求10的传感器,其中所述碳-碳多重键部分是碳纳米管且所述聚合物是聚合物珠。
12.一种感应分析物的方法,其包括:
将传感器暴露至样品,所述传感器包括:
包含碳-碳多重键部分的传导性材料,所述传导性材料与至少两个电极电通;以及
能够与碳-碳多重键部分相互作用的过渡金属络合物;以及
在电极处测定电性质。
13.权利要求12的方法,其中所述样品是气体。
14.权利要求12的方法,其中所述电性质是电阻或电导。
15.权利要求12的方法,其中所述分析物是乙烯。
16.权利要求12的方法,其中所述传导性材料包括碳纳米管。
17.权利要求16的方法,其中所述过渡金属络合物能够与乙烯形成稳定复合物。
18.权利要求17的方法,其中其中所述过渡金属络合物通过将所述过渡金属配位至所述碳-碳多重键部分以与所述碳纳米管相联。
19.权利要求17的方法,其中所述过渡金属络合物通过所述碳纳米管与所述过渡金属络合物的配体间的共价键与所述碳纳米管相联。
20.权利要求17的方法,其中所述过渡金属络合物通过与所述碳纳米管非共价相联的聚合物与所述碳纳米管相联。
21.权利要求12-17任一项的方法,其中所述过渡金属络合物结合至所述传导性材料的所述碳-碳多重键部分。
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