[发明专利]导电膜用原料、导电膜层积体、电子设备、以及导电膜用原料和导电膜层积体的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及导电膜用原料、导电膜层积体、电子设备、以及导电膜用原料和导电膜层积体的制造方法。

背景技术

透明导电膜由于具有导电性和光学透明性而被用作透明电极、电磁波遮蔽膜、面状发热膜、反射防止膜等，近年来作为触摸屏用电极受到瞩目。触摸屏中存在电阻膜式、静电电容耦合式、光学式等多种方式。透明导电膜用于例如通过上下的电极进行接触来确定触摸位置的电阻膜式、感知静电电容的变化的静电电容耦合方式。用于电阻膜式的透明导电膜由于从工作原理上考虑，透明导电膜之间进行机械性接触，因此要求高耐久性。此外,用于静电电容耦合方式或一部分电阻膜式的透明导电膜由于通过蚀刻为特定的图案来形成多个透明电极，因此要求蚀刻性良好。此外，透明导电膜由于配置在显示部的前面，因此要求高光透射率。

作为透明导电膜，可例举铟锡氧化物构成的膜。可以通过使铟锡氧化物结晶化来提高耐久性。但是，有时在制作透明导电膜的铟锡氧化物上通过蚀刻来形成多个透明电极，如果处于结晶化的状态则难以通过蚀刻来形成多个透明电极。例如，在铟锡氧化物结晶化的情况下，有由于蚀刻速率下降而使得透明电极的形成耗费时间，或者透明电极的形状不能达到所希望的形状之虞。

从这样的观点来看，理想的是首先对容易蚀刻的非晶质状态的铟锡氧化物进行成膜，在对该非晶质状态的铟锡氧化物进行蚀刻而形成了多个透明电极后，通过热处理使其结晶化。该情况下，对于非晶质状态的铟锡氧化物，要求能够通过热处理容易地结晶化。此外，还要求结晶化后的比电阻低。比电阻低的情况下，即使膜厚较薄也可降低薄膜电阻值。此外，对于透明导电膜所要求的高透射率，可通过减少膜厚来提高透射率。目前，由于易于通过热处理来结晶化且结晶化后的比电阻也较低，因此使用以氧化物换算计含有3质量％左右的锡的铟锡氧化物(例如参照专利文献1～3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2011-65937号公报

专利文献2：日本专利特开2011-100749号公报

专利文献3：日本专利特开2004-149884号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

近年，伴随着触摸屏装置等电子设备的大型化，存在操作时的透明导电膜中的传递速度的下降。为了抑制传递速度的下降，要求透明导电膜的薄膜电阻值减少至目前以上的水平。具体而言，要求透明导电膜的薄膜电阻值减少至150Ω/□以下。

对于上述的以氧化物换算计含有3质量％左右的锡的铟锡氧化物，通过使其膜厚增加，可使结晶化后的薄膜电阻值下降，但为了达到规定的薄膜电阻值，需要将膜厚变得非常厚。从使透射率等光学特性良好的观点来看，膜厚优选25nm以下，但对于上述的以氧化物换算计含有3质量％左右的锡的铟锡氧化物，为了得到规定的薄膜电阻值需要将膜厚设为超过25nm。

另一方面，作为透明导电膜的构成材料，还已知有以氧化物换算计含有10质量％左右的锡的铟锡氧化物，与上述的以氧化物换算计含有3质量％左右的锡的铟锡氧化物相比，可降低结晶化后的薄膜电阻值。然而，以氧化物换算计含有10质量％左右的锡的铟锡氧化物并不一定易于结晶化，在达到结晶化所必需的膜厚的情况下，透射率等光学特性并不良好。

本发明是为了解决上述课题而完成的发明，其目的是提供一种具有易于通过热处理而结晶化、结晶化后的薄膜电阻值低、且膜厚增加也得到了抑制的非晶质层的导电膜用原料。此外，本发明的目的还在于提供一种具有薄膜电阻值低、且膜厚增加也得到了抑制的结晶质层的导电膜层积体，以及具有该导电膜层积体的电子设备。进一步，本发明的目的还在于提供上述的导电膜用原料和导电膜层积体的制造方法。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明的导电膜用原料具有透明基材、和层积在上述透明基材上的由铟锡氧化物构成的非晶质层。上述非晶质层由含有以氧化物换算计5.5～9质量％的锡的铟锡氧化物构成，膜厚为15～25nm，且结晶化后的薄膜电阻值为50～150Ω/□。

本发明的导电膜层积体具有透明基材、和层积在上述透明基材上的由铟锡氧化物构成的结晶质层。所述结晶质层由含有以氧化物换算计5.5～9质量％的锡的铟锡氧化物构成，膜厚为15～25nm，且结晶化后的薄膜电阻值为50～150Ω/□。

本发明的电子设备的特征在于，具有上述的本发明的导电膜层积体。