[发明专利]用刻蚀步骤P3和可选的步骤P2制造光伏组件的方法在审
申请号: | 201380022920.7 | 申请日: | 2013-04-02 |
公开(公告)号: | CN104272459A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 尼古拉斯·卡斯特;查尔斯·罗杰 | 申请(专利权)人: | 原子能和替代能源委员会 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/0749;H01L31/18 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 徐川;姚开丽 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 步骤 p3 可选 p2 制造 组件 方法 | ||
1.一种制造用于获得包括多个太阳能电池的光伏组件的中间产品的方法,所述方法包括以下步骤:
(a)在基板(4)上局部化地沉积Se型或S型材料的层(7),以覆盖所述基板的至少一部分(400),
(b)在该局部化层(7)上沉积导电材料的层(41),该层涂覆了所述局部化层。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,在步骤(a)期间,在所述基板(4)上还局部沉积金属层(8),以覆盖所述基板的与被Se型或S型材料覆盖的所述至少一部分(400)不同的至少一部分(410)。
3.一种获得包括薄层结构的多个太阳能电池的光伏组件的方法,所述光伏组件依次包括:基板(4)、背面电极(41)、对金属前体进行退火所获得的光伏层(46)以及半导体层(43),其中:
按照权利要求1所述的方法制造中间产品,导电材料的层(41)形成了所述背面电极;并且
进行退火步骤,所述退火步骤改变了Se型或S型材料的所述局部化层(7),以在所述背面电极(41)中形成相比于所述背面电极的其余部分电阻率更大的区域(71、410、461),该区域确保了所述光伏组件的两个相邻电池之间的电绝缘。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,在获得所述光伏层之前,以小于或等于1℃/s的温度梯度并且在225℃至300℃的温度下,进行所述退火步骤达1分钟至5分钟的持续时间,所述背面电极的所述区域(71)由所述导电材料与Se或S反应所产生的材料形成。
5.根据权利要求3所述的方法,其中,在获得所述光伏层之前,在400℃至650℃的温度下,以严格大于1℃/s并可能高达15℃/s的温度梯度进行所述退火步骤。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述区域(410)由光伏材料形成。
7.根据权利要求5所述的方法,其中,所述区域(461)是凹槽。
8.根据权利要求3至7中任意一项所述的方法,其中,按照权利要求2所述的方法制造所述中间产品,获得所述光伏层使得在该层中形成由导电材料制成的区域(460),该区域在光伏组件的一个电池的正面电极和相邻电池的背面电极之间产生了电连接。
9.一种包括在共用基板(4)上串联连接的多个太阳能电池的光伏组件,每个电池包括:正面电极(45),所述正面电极是透光的;和背面电极(41),由光伏层(46)和另一半导体层(43)使所述背面电极与所述正面电极隔开,使得所述背面电极与所述光伏层能够形成pn结,其中,通过所述背面电极(41)的位于两个电池之间且相比于所述背面电极的其余部分电阻率更大的区域(71、410、461)来使两个相邻的电池(5、6)电绝缘。
10.根据权利要求9所述的组件,其中,所述区域(71)由所述背面电极(41)的导电材料与选自Se和S的元素反应所产生的材料形成。
11.根据权利要求9所述的组件,其中,所述区域(410)由与所述光伏层相同的材料形成。
12.根据权利要求9所述的组件,其中,所述区域(461)是凹槽。
13.根据权利要求9至12中任意一项所述的光伏组件,在所述光伏层(46)中并且在两个相邻的电池(5、6)之间,所述光伏组件还包括由导电材料制成的区域(460),该区域在一个电池(5)的正面电极(45a)和相邻电池(6)的背面电极(41b)之间产生了电连接。
14.一种用于获得根据权利要求9至12中任意一项所述的光伏组件的中间产品,所述中间产品在基板(4)上依次包括:Se或S的局部化层(7)和覆盖该局部化层的导电材料的层(41)。
15.一种用于获得根据权利要求13所述的光伏组件的中间产品,所述中间产品在所述基板(4)上还包括:与Se或S的所述局部化层不同的局部化金属层(8)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的