[发明专利]高引脚数植入物器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造用于附接到待植入活体内的高密度器件的柔性薄膜衬底的方法，所述方法包括:

将第一薄膜聚对亚苯基二甲基层沉积在硅晶片上，以形成底部薄膜聚对亚苯基二甲基层，所述第一薄膜聚对亚苯基二甲基层的厚度为0.1μm-100μm；

将金属沉积到所述底部薄膜聚对亚苯基二甲基层以形成电连接；

将第二薄膜聚对亚苯基二甲基层沉积到邻接所述金属处以形成顶部薄膜聚对亚苯基二甲基层并且从而形成聚对亚苯基二甲基-金属-聚对亚苯基二甲基夹层，所述第二薄膜聚对亚苯基二甲基层的厚度为10μm-200μm；

提供邻接所述第二薄膜聚对亚苯基二甲基层的掩模；

将蚀刻束引导至所述掩模上以制造用于附接所述器件的柔性薄膜衬底；以及

从所述柔性薄膜衬底分离所述硅晶片并且附接所述器件，其中所述器件为具有高密度的集成电路芯片，所述附接将所述柔性薄膜衬底电连接至所述具有高密度的集成电路芯片，其中所述器件通过用作机械胶的可光图案化的粘合剂被集成到所述柔性薄膜衬底中并且其中所述柔性薄膜衬底和所述器件被封装用于生物相容性。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚对亚苯基二甲基是选自由聚对亚苯基二甲基N、C、D、HT、AM、A及其组合组成的组的成员。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述聚对亚苯基二甲基为聚对亚苯基二甲基C。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅晶片使用1,1,1,3,3,3-六甲基二硅氮烷(HMDS)处理。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一薄膜聚对亚苯基二甲基层通过化学气相沉积(CVD)进行沉积。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一薄膜聚对亚苯基二甲基层的厚度是1μm-10μm。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属是选自由Cr/Au、Ni/Au、Ti/Au、Al/Ti、Ag/Ti、Cr/Au/Ti/Ni/Au、Ni/Pd/Au、以及Ti/Ni/Au组成的组的导体。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述金属为Ti/Au。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二薄膜聚对亚苯基二甲基层通过化学气相沉积(CVD)进行沉积。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二薄膜聚对亚苯基二甲基层的厚度是20μm-60μm。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻是通过金属掩模掩蔽的反应离子蚀刻(RIE)。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻是通过金属掩模掩蔽的深反应离子蚀刻(DRIE)。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述反应离子蚀刻为氧等离子体蚀刻。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，重复所述聚对亚苯基二甲基、金属、聚对亚苯基二甲基沉积步骤以产生多个聚对亚苯基二甲基-金属-聚对亚苯基二甲基夹层。

15.柔性薄膜衬底，由权利要求1-14中任一项所述的方法制得。

16.一种用于附接到高密度器件的生物相容性柔性薄膜衬底，其中所述器件是高密度集成电路芯片，所述生物相容性柔性薄膜衬底包括:

第一薄膜聚对亚苯基二甲基层，其厚度为0.1μm-100μm；

金属，其邻接所述第一薄膜聚对亚苯基二甲基层；

第二薄膜聚对亚苯基二甲基层，其厚度为10μm-200μm，所述第二薄膜聚对亚苯基二甲基层邻接所述金属，以形成聚对亚苯基二甲基-金属-聚对亚苯基二甲基夹层，其中所述第二薄膜聚对亚苯基二甲基层具有开口，所述开口具有设置在其内表面上的至少一个电触点，所述开口被配置成接纳至少一个电路器件，所述至少一个电路器件为具有高密度的集成电路芯片，并且所述开口被配置成在所述至少一个电触点和所述具有高密度的集成电路芯片之间提供电连通，其中所述具有高密度的集成电路芯片通过用作机械胶的可光图案化的粘合剂被集成到所述生物相容性柔性薄膜衬底中并且所述生物相容性柔性薄膜衬底被配置为在接纳所述至少一个电路器件后被植入活体内。