[发明专利]用于多植入的对位基板的装置与方法

权利要求书

1.一种处理基板的方法，包含：

将离子植入于基板，以建立植入特征；

判定所述植入特征的位置；

将基准配置于所述基板上对应于所述植入特征的已知位置；

在后续处理步骤中，检测所述基准的位置；以及

在所述后续处理步骤期间，使用所述基准的位置来与所述植入特征对位。

2.根据权利要求1所述的处理基板的方法，其中判定所述植入特征的位置包含检测所述基准。

3.根据权利要求2所述的处理基板的方法，其中判定所述植入特征的位置包含以电荷耦合元件摄影机、红外线摄影机、光二极管以及激光的至少其中之一来检测所述基准。

4.根据权利要求1所述的处理基板的方法，还包含使用电荷耦合元件摄影机、红外线摄影机、光二极管以及激光的至少其中之一来调整掩模的位置以与所述基准对位。

5.根据权利要求1所述的处理基板的方法，其中在将所述离子植入于所述基板之前，将所述基准配置在所述基板上。

6.根据权利要求1所述的处理基板的方法，其中在将所述离子植入于所述基板之后，将所述基准配置在所述基板上。

7.根据权利要求1所述的处理基板的方法，还包含在将所述离子植入于所述基板之前，记录所述基准至所述基板的边缘或角的至少其中之一。

8.根据权利要求1所述的处理基板的方法，还包含在将所述离子植入于所述基板之前，记录所述基准至所述基板的第一邻边及第二邻边。

9.根据权利要求1所述的处理基板的方法，包含在将所述离子植入于所述基板之后，对所述基板进行热退火，其中所述植入特征在所述热退火之前为光学可见的，且所述植入特征在所述热退火之后为非光学可见的，并且其中所述基准在所述热退火之后为光学可见的。

10.一种用于植入工件的装置，包含：

离子植入器，用以将离子植入于基板，以建立植入特征；

检测器，用以检测基准在所述基板上的位置；以及

处理器，用来执行指令：

判定所述基准的所述位置；

调整掩模的位置以与所述基准对位，藉此对所述掩模进行对位；以及

使用所述离子植入器，通过所述掩模将所述离子植入于所述基板。

11.根据权利要求10所述的用于植入工件的装置，还包含致动器，用以移动所述掩模，以使所述掩模与所述基准对位。

12.根据权利要求10所述的用于植入工件的装置，其中使用所述检测器判定所述基准的位置，其中所述检测器是选自由电荷耦合元件摄影机、红外线摄影机、光二极管以及激光所组成的族群。

13.一种处理基板的方法，包含：

将离子植入于基板，以建立光学可见的植入特征；

对所述基板进行热退火，其中所述热退火使得所述植入特征为非光学可见的，其中在所述基板上的基准在所述热退火之后为光学可见的；

调整掩模的位置，以与所述基准对位，藉此使所述掩模与所述植入特征对位；以及

通过所述掩模将所述离子植入于所述基板。

14.根据权利要求13所述的处理基板的方法，包含在对所述基板进行所述热退火之前，将所述基准施加于所述基板。

15.根据权利要求13所述的处理基板的方法，包含判定自所述基准至所述基板的第一邻边及第二邻边的距离，以及在所述调整的步骤中使用判定的所述距离。