[发明专利]含氮杂环化合物和包含其的有机电子器件

权利要求书

1.一种含氮杂环化合物，由下式1-6至1-25、1-28至1-30、1-33至1-35中的任一个表示：

。

2.一种含氮杂环化合物，由下式2-5至2-16和2-18至2-25中的任一个表示：

3.一种有机电子器件，包含第一电极，与第一电极相对的第二电极，和一层或多层插入至第一电极和第二电极之间的有机材料层，其中至少一层有机材料层包含权利要求1至2中任一项的含氮杂环化合物。

4.权利要求3的有机电子器件，其中该有机电子器件选自有机太阳能电池、有机发光器件、有机晶体管和有机光导体。

5.权利要求3的有机电子器件，其中该有机电子器件为有机发光器件，包含第一电极、与第一电极相对的第二电极和插入至第一电极和第二电极之间的有机材料层，且包含发光层，其中至少一层有机材料层包含含氮杂环化合物。

6.权利要求5的有机电子器件，其中有机材料层还包含一层或多层选自以下的层：空穴传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层、电子传输层和电子注入层。

7.权利要求5的有机电子器件，其中包含含氮杂环化合物的有机材料层为电子传输层或进行电子传输和发光的层。

8.权利要求3的有机电子器件，其中有机电子器件为有机太阳能电池，其包含第一电极、与第一电极相对的第二电极和插入至第一电极和第二电极之间的有机材料层，且包含光活化层，其中至少一层有机材料层包含含氮杂环化合物。

9.权利要求8的有机电子器件，其中包含含氮杂环化合物的有机材料层还包含一层或多层选自电子给体和电子受体的层。

10.权利要求8的有机电子器件，其中包含含氮杂环化合物的有机材料层为光活化层，所述光活化层具有一层或多层选自电子给体和电子受体的层。

11.权利要求3的有机电子器件，其中有机电子器件为有机晶体管，其包含源极、漏极、栅极和一层或多层有机材料层，其中至少一层有机材料层包括含氮杂环化合物。

12.权利要求3的有机电子器件，其中有机电子器件为有机光导体，其包含第一电极、与第一电极相对的第二电极、一层或多层插入至第一电极和第二电极之间的有机材料层，且包含有机光敏层，其中至少一层有机材料层包含含氮杂环化合物。

13.一种制造有机电子器件的方法，该方法包含以下步骤：

提供基板；

在基板上形成第一电极；

在第一电极上形成有机材料层，所述有机材料层包含权利要求1至2中任一项的含氮杂环化合物；和

在有机材料层上形成第二电极。