[发明专利]透明电极、电子器件及透明电极的制造方法有效

专利信息
申请号: 201380021169.9 申请日: 2013-04-15
公开(公告)号: CN104412713B 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 木下敏幸;波木井健;石代宏;吉田和央;小野美奈子;辻村隆俊 申请(专利权)人: 柯尼卡美能达株式会社
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 贾成功
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 透明 电极 电子器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种透明电极,其依次具备:

透明基材;

以0.3nm/s以上的成膜速度成膜、使用含有氮原子的化合物而构成了的含氮层;和

具有可测定薄层电阻的12nm以下的膜厚、使用银或以银作为主要成分的合金而构成了的电极层,

所述含氮层的所述含有氮原子的化合物为具有以氮原子作为杂原子的杂环的化合物。

2.根据权利要求1所述的透明电极,其中,所述含氮层是以0.5nm/s以上的成膜速度成膜了的。

3.一种透明电极,其依次具备:

透明基材;

使用含有氮原子的化合物而构成了的含氮层;和

电极层,所述电极层为在所述含氮层的成膜后2分钟以内成膜了的层、且具有可测定薄层电阻的12nm以下的膜厚、使用银或以银作为主要成分的合金而构成了的,

所述含氮层的所述含有氮原子的化合物为具有以氮原子作为杂原子的杂环的化合物。

4.根据权利要求3所述的透明电极,其中,所述电极层为在所述含氮层的成膜后1分钟以内成膜了的层。

5.一种电子器件,其具有权利要求1~4的任一项所述的透明电极。

6.根据权利要求5所述的电子器件,其中,所述电子器件为有机电致发光元件。

7.一种透明电极的制造方法,其包含:

在透明基材上通过0.3nm/s以上的成膜速度来形成含氮层的工序,所述含氮层为使用含有氮原子的化合物而构成了的;和

在所述含氮层上形成电极层的工序,所述电极层具有可测定薄层电阻的12nm以下的膜厚、使用银或以银作为主要成分的合金而构成了的,

所述含氮层的所述含有氮原子的化合物为具有以氮原子作为杂原子的杂环的化合物。

8.一种透明电极的制造方法,其包含:

在透明基材上将使用含有氮原子的化合物而构成了的含氮层进行成膜的工序;和

在所述含氮层的成膜后2分钟以内在该含氮层上将电极层进行成膜的工序,所述电极层具有可测定薄层电阻的12nm以下的膜厚、使用银或以银作为主要成分的合金而构成了的,

所述含氮层的所述含有氮原子的化合物为具有以氮原子作为杂原子的杂环的化合物。

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