[发明专利]发光元件、发光装置、显示装置、电子设备以及照明装置有效

专利信息
申请号: 201380020736.9 申请日: 2013-04-09
公开(公告)号: CN104247075B 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 濑尾哲史;山崎舜平;石曾根崇浩 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;G09F9/30;H01L27/32;H05B33/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 李英
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 装置 显示装置 电子设备 以及 照明
【权利要求书】:

1.一种发光元件,包括:

第一电极;

所述第一电极上的第一发光层,包括:

第一磷光化合物;以及

第一主体材料;

所述第一发光层上的第二发光层,包括:

第二磷光化合物;以及

第二主体材料;

所述第二发光层上的第二电极,

其中从所述第二磷光化合物发射的光具有比从所述第一磷光化合物发射的光长的波长,

所述第二磷光化合物的函数ε(λ)λ4的最长波长一侧的峰与所述第一磷光化合物的磷光光谱F(λ)重叠,

λ表示波长,

并且ε(λ)表示所述波长λ处的摩尔吸光系数。

2.根据权利要求1所述的发光元件,

其中所述第一发光层还包含第一有机化合物,

所述第一主体材料与所述第一有机化合物形成激基复合物,

并且从所述第一磷光化合物发射的光具有比从所述激基复合物发射的光长的波长。

3.根据权利要求2所述的发光元件,

其中所述激基复合物的发射光谱与所述第一磷光化合物的函数ε(λ)λ4的最长波长一侧的峰重叠。

4.根据权利要求1所述的发光元件,

其中所述第一磷光化合物在500nm至600nm的范围内具有磷光峰,

并且所述第二磷光化合物在600nm至700nm的范围内具有磷光峰。

5.根据权利要求1所述的发光元件,

其中电子与空穴的复合区域是所述第一发光层。

6.根据权利要求1所述的发光元件,

其中与所述第二发光层相比,所述第一发光层更接近阳极,

并且在所述第二发光层中电子传输性比空穴传输性高。

7.根据权利要求1所述的发光元件,

其中与所述第二发光层相比,所述第一发光层更接近阳极,

并且所述第一主体材料及所述第二主体材料都具有电子传输性。

8.根据权利要求1所述的发光元件,

其中与所述第二发光层相比,所述第一发光层更接近阴极,

并且在所述第二发光层中空穴传输性比电子传输性高。

9.根据权利要求1所述的发光元件,

其中与所述第二发光层相比,所述第一发光层更接近阴极,

并且所述第一主体材料及所述第二主体材料都具有空穴传输性。

10.根据权利要求1所述的发光元件,

其中所述第一发光层及所述第二发光层彼此接触。

11.一种照明装置,该照明装置包括权利要求1所述的发光元件。

12.一种发光装置,该发光装置包括:

权利要求1所述的发光元件;以及

控制所述发光元件的单元。

13.一种显示装置,该显示装置包括:

显示部中的权利要求1所述的发光元件;以及

控制所述发光元件的单元。

14.一种电子设备,该电子设备包括权利要求1所述的发光元件。

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