[发明专利]表面被覆切削工具

权利要求书

1.一种表面被覆切削工具，包括基材和形成于所述基材上的覆膜，

所述覆膜包括一层或两层或更多层，

所述层中与所述基材邻接的层为TiN层，

所述TiN层包含至少一种元素以及TiN，

所述元素在所述TiN层的厚度方向上具有浓度分布，并且

所述浓度分布包括以下区域：在该区域中，在由所述基材至所述覆膜的表面的方向上，所述元素的浓度降低。

2.根据权利要求1所述的表面被覆切削工具，其中

所述TiN层包含C和TiN，

所述C在所述TiN层的厚度方向上具有浓度分布，

所述浓度分布包括以下区域：在该区域中，在由所述基材至所述覆膜的表面的方向上，所述C的浓度降低。

3.根据权利要求2所述的表面被覆切削工具，其中所述浓度分布中所述C的最大浓度和最小浓度之差为10原子％以上。

4.根据权利要求2或3所述的表面被覆切削工具，其中所述C的最大浓度为30原子％以下。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的表面被覆切削工具，其中所述浓度分布具有以下分布：其中在自所述基材起的方向上所述C的浓度降低，之后达到极小点，此后在朝向所述覆膜的表面的方向上所述C的浓度增加。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的表面被覆切削工具，其中所述TiN层的厚度为0.1μm至0.5μm。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的表面被覆切削工具，其中

所述覆膜包括直接位于所述TiN层上的TiCN层，

所述TiCN层包含TiCN，并且

所述TiCN层中的C的最大浓度为20原子％以上。

8.根据权利要求2至7中任一项所述的表面被覆切削工具，其中，

所述覆膜还包括其他层，并且

所述其他层为由选自由元素周期表中的4族元素、5族元素和6族元素、Al和Si构成的组中的至少一种元素与选自由硼、碳、氮和氧构成的组中的至少一种元素所构成的化合物制成的一层或多层。

9.根据权利要求2至8中任一项所述的表面被覆切削工具，其中所述覆膜通过化学气相沉积形成。

10.根据权利要求2至9中任一项所述的表面被覆切削工具，其中所述基材为硬质合金。

11.根据权利要求1所述的表面被覆切削工具，其中

所述基材由硬质合金制成，

所述TiN层包含C、Co和TiN，

所述C和所述Co各自在所述TiN层的厚度方向上具有浓度分布，

所述C的浓度分布包括以下区域：在该区域中，在由所述基材至所述覆膜的表面的方向上，所述C的浓度降低，并且

所述Co的浓度分布包括以下区域：在该区域中，在由所述基材至所述覆膜的表面的方向上，所述Co的浓度降低。

12.根据权利要求11所述的表面被覆切削工具，其中所述TiN层中的所述C与所述Co的原子比为：所述C为所述Co的两倍或更高。

13.根据权利要求11或12所述的表面被覆切削工具，其中在所述C的浓度分布中，所述C的最大浓度和最小浓度之差为10原子％以上。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的表面被覆切削工具，其中

所述C的最大浓度为30原子％以下，并且

所述Co的最大浓度为5原子％以下。

15.根据权利要求11至14中任一项所述的表面被覆切削工具，其中

所述C的浓度分布具有以下分布：其中在自所述基材起的方向上所述C的浓度降低，之后达到极小点，此后在朝向所述覆膜的表面的方向上所述C的浓度增加，并且

所述Co的浓度分布具有以下分布：其中在由所述基材至所述覆膜的表面的方向上，所述Co的浓度降低。

16.根据权利要求11至15中任一项所述的表面被覆切削工具，其中所述TiN层的厚度为0.1μm至0.5μm。

17.根据权利要求11至16中任一项所述的表面被覆切削工具，其中

所述覆膜包括直接位于所述TiN层上的TiCN层，

所述TiCN层包含TiCN，并且

所述TiCN层中的C的最大浓度为20原子％以上。