[发明专利]接合高分子薄膜与高分子薄膜的方法、接合高分子薄膜与无机材料基板的方法、高分子薄膜层叠体及高分子薄膜与无机材料基板的层叠体有效
申请号: | 201380019398.7 | 申请日: | 2013-04-09 |
公开(公告)号: | CN104245280B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 须贺唯知;松本好家 | 申请(专利权)人: | 须贺唯知;网络技术服务株式会社 |
主分类号: | B29C65/00 | 分类号: | B29C65/00;B23K20/00;B29L9/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 高分子 薄膜 方法 无机 材料 层叠 | ||
1.一种高分子薄膜的接合方法,其用于接合高分子薄膜,其中,该接合方法包括以下步骤:
在第一高分子薄膜上的局部或整个第一高分子薄膜上形成第一无机材料层的步骤;
在第二高分子薄膜上的局部或整个第二高分子薄膜上形成第二无机材料层的步骤;
通过使具有预定的动能的粒子撞击第一无机材料层的表面来对第一无机材料层的表面进行表面活性化处理的步骤;
通过使具有预定的动能的粒子撞击第二无机材料层的表面来对第二无机材料层的表面进行表面活性化处理的步骤;以及
使表面活性化处理后的第一无机材料层的表面抵接于表面活性化处理后的第二无机材料层的表面来接合第一高分子薄膜与第二高分子薄膜的步骤。
2.根据权利要求1所述的高分子薄膜的接合方法,其中,
形成在第一高分子薄膜上的第一无机材料层与形成在第二高分子薄膜上的第二无机材料层分別使用溅射法形成。
3.根据权利要求1或2所述的高分子薄膜的接合方法,其中,
第一高分子薄膜与第二高分子薄膜是以聚酰亚胺树脂、或选自由聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)及聚对苯二甲酸丙二醇酯(PTT)组成的组的聚酯树脂为主要成分形成的。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的高分子薄膜的接合方法,其中,
第一高分子薄膜与第二高分子薄膜由不同的材料形成。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的高分子薄膜的接合方法,其中,
第一无机材料层与第二无机材料层是以选自由铜(Cu)、铝(Al)及铁(Fe)组成的组的金属或这些金属的合金为主要成分形成的。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的高分子薄膜的接合方法,其中,
第一无机材料层与第二无机材料层是以硅(Si)为主要成分形成的。
7.根据权利要求6所述的高分子薄膜的接合方法,其中,
在第一无机材料层与第二无机材料层中含有铁。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的高分子薄膜的接合方法,其中,
第一无机材料层与第二无机材料层由多种材料的层构成。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的高分子薄膜的接合方法,其中,
上述表面活性化处理是通过使具有0.1keV至2keV的动能的氩(Ar)粒子撞击第一无机材料层的表面和第二无机材料层的表面来进行的。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的高分子薄膜的接合方法,其中,该高分子薄膜的接合方法还包括以下步骤:
在形成上述第一无机材料层之前、以第一高分子薄膜的熔点以下或热分解温度以下的温度对第一高分子薄膜进行加热的步骤;以及
在形成上述第二无机材料层之前、以第二高分子薄膜的熔点以下或热分解温度以下的温度对第二高分子薄膜进行加热的步骤。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的高分子薄膜的接合方法,其中,
在使表面活性化处理后的第一无机材料层的表面抵接于表面活性化处理后的第二无机材料层的表面时,沿与第一高分子薄膜和第二高分子薄膜之间的接合界面垂直的方向施加5MPa以上的压力。
12.一种高分子薄膜的接合方法,其用于接合高分子薄膜,其中,该接合方法包括以下步骤:
从第一供给辊供给带状的第一高分子薄膜的步骤;
从第二供给辊供给带状的第二高分子薄膜的步骤;
在从第一供给辊供给的第一高分子薄膜上形成第一无机材料层的步骤;
在从第二供给辊供给的第二高分子薄膜上形成第二无机材料层的步骤;
通过使具有预定的动能的粒子撞击第一无机材料层的表面来对第一无机材料层的表面进行表面活性化处理的步骤;
通过使具有预定的动能的粒子撞击第二无机材料层的表面来对第二无机材料层的表面进行表面活性化处理的步骤;
使表面活性化处理后的第一无机材料层的表面接触表面活性化处理后的第二无机材料层的表面来接合第一高分子薄膜与第二高分子薄膜的步骤;以及
将通过第一高分子薄膜与第二高分子薄膜的接合而形成的层叠高分子薄膜卷绕于卷取辊的步骤。
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