[发明专利]硅片太阳能电池的非酸性各向同性回蚀

权利要求书

1.硅片太阳能电池的制造方法，其包括：

使用包含次氯酸钠(NaOCl)以及选自包含氢氧化钠(NaOH)和氢氧化钾(KOH)的组的氢氧化物的溶液蚀刻所述硅片太阳能电池的掺杂表面。

2.如权利要求1所述的方法，其还包括去除包含残留磷硅酸玻璃(PSG)的表面污染物，其中所述蚀刻步骤包括在去除所述PSG后蚀刻所述硅片的所述表面。

3.如权利要求1所述的方法，其还包括在所述蚀刻步骤之前去除多孔硅。

4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中所述蚀刻步骤包括回蚀所述硅片太阳能电池的发射体层。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻步骤包括同时去除多孔硅并且回蚀所述硅片太阳能电池的发射体层。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述蚀刻步骤还包括同时去除PSG。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻步骤包括同时回蚀所述硅片太阳能电池的发射体层并且抛光所述硅片发射体层的表面。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述蚀刻步骤还包括同时从所述硅片的表面去除多孔硅。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述蚀刻步骤还包括同时从所述硅片的表面去除PSG。

10.如权利要求1至9中任一权利要求所述的方法，其在所述蚀刻步骤之后还包括：

去除自然氧化物及其中和；

在所述发射体的外表面上沉积抗反射涂层(ARC)；以及

进行最终金属化。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述自然氧化物去除和中和的步骤包括使用稀释的氢氟酸-盐酸(HF-HCL)溶液去除自然氧化物及其中和。

12.如权利要求1至11中任一权利要求所述的方法，其在所述蚀刻步骤之前还包括去除寄生结的步骤。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述去除寄生结的步骤包括使用氢氟酸-硝酸(HF-HNO₃)的溶液去除所述寄生结。

14.如权利要求12所述的方法，其中所述去除寄生结的步骤包括使用反应离子蚀刻去除所述寄生结。

15.硅片太阳能电池的制造方法，其包括：

使用包含次氯酸钠(NaOCl)以及氢氧化钾(KOH)或者氢氧化钠(NaOH)的溶液以当去除多孔硅时同时回蚀所述硅片太阳能电池的发射体层。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述步骤还包括同时使用所述溶液以去除磷硅酸玻璃(PSG)。

17.如权利要求15或16所述的方法，其还包括：

去除自然氧化物及其中和；

在所述发射体的外表面上沉积抗反射涂层(ARC)；以及

进行最终金属化。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述自然氧化物去除和中和的步骤包括使用稀释的氢氟酸-盐酸(HF-HCl)去除自然氧化物及其中和。

19.硅片太阳能电池的制造方法，其包括：

使用包含次氯酸钠(NaOCl)以及氢氧化钾(KOH)或者氢氧化钠(NaOH)的溶液以当抛光所述硅片发射体层的表面时同时回蚀所述硅片太阳能电池的发射体层。

20.如权利要求19所述的方法，其中所述步骤还包括同时使用所述溶液以从所述硅片的所述表面去除磷硅酸玻璃(PSG)。

21.如权利要求19或20所述的方法，其中所述步骤还包括同时使用所述溶液以从所述硅片的表面去除多孔硅。