[发明专利]太阳能电池和其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造太阳能电池的方法，包括：

通过使所述太阳能电池的区域的第一部分中的掺杂物暴露到化学物质，使用在所述区域的第二部分上所沉积的网格线作为掩膜，使所述第一部分中的掺杂物的电活性去活化，其中，所述第一部分和所述第二部分具有相同数量的掺杂物，其中，所述去活化包括：

将所述掺杂物与所述化学物质的原子元素反应；和

基于所述反应形成非电活性的复合物。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述区域是在太阳能电池的衬底上所形成的发射极。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述区域是所述太阳能电池的背面场。

4.如权利要求1所述的方法，还包括：

生成掺杂物分布，所述掺杂物分布在所述区域的所述第一部分的表面部分处的活性掺杂物的浓度小于在离所述表面部分一距离处的活性掺杂物的浓度。

5.如权利要求1所述的方法，还包括：

将钝化层沉积在所述区域上，其中所述化学物质通过所述钝化层使所述掺杂物去活化。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：将抗反射涂层沉积在所述区域的上方，其中所述化学物质通过所述抗反射涂层使所述掺杂物去活化。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述区域具有p型导电性。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述区域具有n型导电性。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述网格线是导电的。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述区域的在所述网格线下方的所述第二部分中的所述掺杂物的电活性没有被去活化。

11.如权利要求1所述的方法，其中，在去活化之后在所述区域中的掺杂物颗粒的总数与在去活化之前在所述区域中的掺杂物颗粒的总数相同。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述化学物质包括原子氢、原子氘、原子锂、原子铜或者其组合，以及去活化包括：

将所述区域的在所述网格线外部的所述第一部分暴露到所述原子氢、原子氘、原子锂、原子铜或者其组合。

13.如权利要求1所述的方法，还包括：

生成在所述区域的所述第一部分的表面部分处的活性掺杂物的第一浓度、在所述区域的所述第二部分中的活性掺杂物的第二浓度、以及在所述区域的所述第一部分中的远离所述表面部分的深度处的活性掺杂物的第三浓度。

14.如权利要求1所述的方法，还包括：

将所述化学物质供给到置入腔室中的所述太阳能电池的所述区域的所述第一部分；

从所述化学物质生成原子元素；以及

将所述区域的所述第一部分中的所述掺杂物暴露到所述原子元素。

15.如权利要求14所述的方法，其中，通过等离子体生成所述原子元素。

16.如权利要求14所述的方法，其中，通过水煮法生成所述原子元素。

17.如权利要求14所述的方法，其中，通过将气体催化地暴露到加热的灯丝，生成所述原子元素。

18.如权利要求17所述的方法，还包括：

调节所述灯丝的温度、所述灯丝的几何形状、在所述太阳能电池和所述灯丝之间的距离中的至少一个来控制去活化。

19.如权利要求17所述的方法，还包括：

调节所述气体的压力和所述腔室中的温度中的至少一个来控制去活化。

20.如权利要求1所述的方法，其中，通过腔室的几何形状控制所述去活化。

21.如权利要求1所述的方法，其中，通过时间控制所述去活化。

22.如权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂物是硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)和铊(Tl)中的至少一种。

23.如权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂物是氮(N)、磷(P)、砷(As)、锑(Sb)和铋(Bi)中的至少一种。

24.如权利要求1所述的方法，其中，所述网格线防止所述化学物质到达所述太阳能电池的所述区域的所述第二部分。