[发明专利]发光半导体器件和用于制造发光半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造发光半导体器件(100，200，300)的方法，所述方法具有下述步骤：

A)提供发光半导体芯片(1)，所述发光半导体芯片具有半导体层序列(17)、光耦合输出面(11)、与所述光耦合输出面(11)相对置的后侧面(12)和将所述光耦合输出面(11)和所述后侧面(12)连接的侧面(13)，其中在所述半导体芯片(1)的所述后侧面(12)上构成两个电接触层(14)和热接触层(15)，并且所述热接触层(15)与所述电接触层(14)和所述半导体层序列(17)电绝缘，

B)构成用于所述半导体芯片(1)的载体本体(2)，具有下述子步骤：

B1)借助成形体(20)对所述半导体芯片(1)改型，所述成形体形状配合地且直接地覆盖所述半导体芯片(1)的所述侧面(13)，

B2)在所述半导体芯片(1)的所述后侧面(12)上，通过电镀方法构成与所述半导体芯片(1)的所述电接触层(14)直接接触的电连接元件(24)和与所述半导体芯片(1)的所述热接触层(15)直接接触的热连接元件(25)，其中施加具有一定厚度的所述热连接元件(25)，使得所述热连接元件形成所述半导体器件(100，200，300)的背离所述半导体芯片(1)的安装侧(22)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中借助于选自喷射、浇注、压制、层叠薄膜、传递模塑工艺和薄膜传递模塑工艺的成形工艺来形成所述成形体。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述成形体(20)不覆盖所述光耦合输出面(11)。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述成形体(20)与所述光耦合输出面(11)齐平。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述成形体(20)具有硅树脂、环氧化物、环氧化物硅树脂混合材料、聚酯、低熔点玻璃或者低熔点玻璃陶瓷。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述光耦合输出面(11)上设置波长转换元件(3)。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述载体本体(2)在所述电连接元件(24)和所述热连接元件(25)之间具有电绝缘材料(26)。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述电连接元件(24)设置在所述载体本体(2)的内部中。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述电连接元件(24)部分地施加在所述成形体(20)上。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述热连接元件(25)在横向方向上突出于所述电连接元件(24)。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述电连接元件(24)和所述热连接元件(25)具有铜和/或镍。

12.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述成形体(20)具有至少一个电通孔(27)，所述电通孔与所述电连接元件(24)电连接。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述热连接元件(25)形成所述半导体器件(100，200，300)的整个安装面(22)。

14.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述半导体芯片(1)在所述半导体层序列(17)和所述热接触层(15)之间具有电绝缘层(18)。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述电绝缘层(18)具有二氧化硅、金刚石或氧化铝并且以大于或等于100nm的厚度施加。

16.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述热接触层(15)与所述电接触层(14)相比在所述半导体芯片(1)的所述后侧面(12)上占据更大的面积。

17.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述成形体(20)中横向并排设置多个发光半导体芯片(1)，并且所述载体本体(2)具有连续的热连接元件(25)，所述半导体芯片(1)的所述热接触层(15)与所述热连接元件(25)直接接触。