[发明专利]包含可缩放驱动器的设备及方法

说明书

优先权申请

本申请案主张2012年3月27日申请的第13/431,674号美国专利的优先权的权益，所述专利以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

在半导体装置中，行业中存在减小组件尺寸且在给定量的芯片区域中装配更多组件的持续压力。随着尺寸缩减，众多技术障碍变得更显著。

在许多电子系统中(尤其在移动系统中)，可存在增加装置速度对减少功率消耗的竞争目标。期望在不牺牲速度的情况下提供减小的功率消耗。期望借助高效制造工艺改进电子系统以满足这些及其它挑战。

附图说明

图1展示根据本发明的实施例的半导体装置的等角视图。

图2展示根据本发明的实施例的来自图1的半导体装置沿线2-2的横截面。

图3展示根据本发明的实施例的半导体装置的框图。

图4展示根据本发明的实施例的另一半导体装置的框图。

图5展示根据本发明的实施例的实例驱动器的示意图。

图6展示根据本发明的实施例的另一实例驱动器的示意图。

图7展示根据本发明的实施例的驱动器的示意图。

图8展示根据本发明的实施例的包含存储器装置的信息处置系统。

具体实施方式

在本发明的各个实施例的以下详细说明中，参考附图，所述附图形成本发明的一部分且其中通过图解说明方式展示其中可实践本发明的特定实施例。充分详细地描述这些实施例以使所属领域的技术人员能够实践本发明。可利用其它实施例且可作出结构、逻辑及电改变。

集成电路(IC)可包含形成于单个半导体裸片上的许多装置及电路部件。IC技术的当前趋势朝向更快且更复杂的电路。然而，在制造更复杂IC时，各种速度相关的问题变得更明显。当使用具有不同功能的IC来形成电子系统(举例来说，包含处理器及存储器IC的计算系统，其中通过全局互连件的网络电连接不同IC)时，情况尤其如此。随着全局互连件在电子系统中变得更长且更多，阻容式(RC)延迟及功率消耗以及系统性能往往变为限制性因素。

这些问题的一种所提出解决方案是三维(3-D)集成或封装技术。3-D集成是指在封装内垂直堆叠包含IC的多个裸片(例如，芯片)。在某种3-D集成技术中，使用形成垂直连接器或3-D导电结构的穿硅通孔(TSV)耦合(例如，电连接)多个裸片。TSV延伸(至少部分)穿过裸片中的一或多者的厚度且可在堆叠裸片时对准以在所述堆叠中的IC当中提供电连通。此类TSV通常由导电材料(例如铝或铜)形成。3-D集成通常导致经封装IC的占据面积的减小以及功率消耗的减小及性能的增加。

在包含移动系统的许多电子系统中，可存在增加装置速度及减少功率消耗的竞争目标。有时期望在不牺牲速度的情况下提供减小的功率消耗。在一些情况中，可使用高效制造工艺来帮助实现这些目标。

参考图1及2，现在将描述实例3-D IC装置。所图解说明的3-D IC装置100包含彼此上下堆叠的四个裸片110a-110d。虽然图1中展示四裸片配置，但其它配置可包含更少经堆叠裸片，或更多经堆叠裸片，举例来说，例如8个经堆叠裸片。第一裸片110a是最上面的裸片，且第四裸片110d是最下面的裸片。第二裸片110b及第三裸片110c插置于第一裸片110a与第四裸片110d之间。在其它实例中，3-D IC装置可包含比图1的装置更大数目或更小数目的裸片。

第一裸片110a到第四裸片110d中的一或多者可包含IC阵列112、收发器114、第一互连线116、第二互连线118及焊盘垫130a-130d。裸片110a-110c中的每一者还可包含通孔120a-120c(图2)。

在硅实例中，通孔可称为TSV。虽然术语TSV是指由硅形成的裸片，但受益于本发明的所属领域的技术人员将认识到在制作裸片时还可使用其它半导体材料，且术语TSV适用于至少部分地通过不同材料的裸片的其它垂直连接器或3-D导电结构。在一个实例中，如图1中所图解说明，最下面的裸片110d不包含通孔。在一个实例中，最下面的裸片可包含无通孔的逻辑裸片。在其它实例中，最下面的裸片可包含一或多个通孔。