[发明专利]负型感光性硅氧烷组合物

权利要求书

1.一种负型感光性硅氧烷组合物，其特征在于由如下成分组成：

聚硅氧烷混合物、

相对于前述聚硅氧烷混合物100重量份为3.0～15.0重量份的具有脲基键的含硅的化合物、

聚合引发剂、以及

溶剂，

所述聚硅氧烷混合物包含：

(Ia)预烘烤后的膜可溶于5重量％四甲基氢氧化铵水溶液并且其溶解速度为以下的第一聚硅氧烷、以及

(Ib)预烘烤后的膜对2.38重量％四甲基氢氧化铵水溶液的溶解速度为以上的第二聚硅氧烷，

其中，第一聚硅氧烷(Ia)/第二聚硅氧烷(Ib)的重量比为1/99～80/20，并且所述聚硅氧烷混合物对2.38重量％四甲基氢氧化铵水溶液的溶解速度为

其中，所述含硅的化合物是由下述通式(iia)或者(iib)表示的含硅的化合物

式中，R’是含硅的烃基，其中该含硅的烃基为烷基甲硅烷基和/或聚硅氧烷基。

2.一种负型感光性硅氧烷组合物，其特征在于由如下成分组成：

聚硅氧烷混合物、

相对于前述聚硅氧烷混合物100重量份为3.0～15.0重量份的具有脲基键的含硅的化合物、

聚合引发剂、

溶剂、以及

从由显影液溶解促进剂、膜渣去除剂、密接增强剂、阻聚剂、消泡剂、表面活性剂、光敏剂以及稳定剂组成的组中选出的添加剂，

所述聚硅氧烷混合物包含：

(Ia)预烘烤后的膜可溶于5重量％四甲基氢氧化铵水溶液并且其溶解速度为以下的第一聚硅氧烷、以及

(Ib)预烘烤后的膜对2.38重量％四甲基氢氧化铵水溶液的溶解速度为以上的第二聚硅氧烷，

其中，第一聚硅氧烷(Ia)/第二聚硅氧烷(Ib)的重量比为1/99～80/20，并且所述聚硅氧烷混合物对2.38重量％四甲基氢氧化铵水溶液的溶解速度为

其中，所述含硅的化合物是由下述通式(iia)或者(iib)表示的含硅的化合物

式中，R’是含硅的烃基，其中该含硅的烃基为烷基甲硅烷基和/或聚硅氧烷基，

其中，所述密接增强剂是咪唑类或硅烷偶联剂。

3.根据权利要求1或2所述的负型感光性硅氧烷组合物，其中，所述聚硅氧烷混合物的重均分子量为5,000以下。

4.根据权利要求1或2所述的负型感光性硅氧烷组合物，其中，所述含硅的化合物是含硅的异氰脲酸酯化合物。

5.根据权利要求1或2所述的负型感光性硅氧烷组合物，其中，相对于聚硅氧烷混合物100重量份，包含0.001～10重量份的聚合引发剂。

6.根据权利要求3所述的负型感光性硅氧烷组合物，其中，相对于聚硅氧烷混合物100重量份，包含0.001～10重量份的聚合引发剂。

7.根据权利要求4所述的负型感光性硅氧烷组合物，其中，相对于聚硅氧烷混合物100重量份，包含0.001～10重量份的聚合引发剂。

8.一种固化膜的制造方法，其包含如下工序：

将权利要求1～7中任一项所述的负型感光性硅氧烷组合物涂布于基板而形成涂膜，将涂膜曝光，并进行显影。

9.根据权利要求8所述的固化膜的制造方法，其中，在曝光后而且在显影前，不包含用于将涂膜进行固化的加热工序。

10.一种固化膜，其特征在于由权利要求1～7中任一项所述的负型感光性硅氧烷组合物形成。

11.一种元件，其特征在于具备权利要求10所述的固化膜。