[发明专利]端部处理器

权利要求书

1.一种端部处理器，包括：

与器械相配套的配套部分；以及

支撑部分，所述支撑部分适合于为所述支撑部分的支撑表面上的薄膜或薄膜框架提供支撑，所述支撑部分包括：

支撑底座部分，

从支撑底座部分延伸而出的延伸部件，以及

至少一个真空端口的配置，

其中所述至少一个真空端口的配置包括至少一个真空端口以分布吸力，

其中，所述至少一个真空端口由至少一个位于支撑部的支撑表面的压痕组成，

至少一个真空开口与至少一个真空源流体连通，以用于为各个真空开口施加不同的吸力，其中所述至少一个真空开口设置在至少一个压痕的每一个之内，

其中所述压痕具有面积相对至少一个真空开口大的表面开口，从而当真空源激活时，增加所述薄膜与薄膜框架上施加的吸力，并且

其中所述至少一个真空端口的配置使得支撑部分的剩余表面不凹入，继续为支撑表面上的薄膜或薄膜框架提供直接支撑，由此在至少一个真空端口的配置在薄膜或薄膜框架上提供分布的放大吸力时，降低薄膜的变形和扭曲。

2.如权利要求1所述的端部处理器，其中，所述至少一个真空开口设置在底部并靠近侧壁，或设置在所述至少一个真空端口的侧壁上。

3.如前述任一条权利要求所述的端部处理器，其中，至少一个支撑表面的压痕形成真空端口，所述真空端口包括至少一个具有至少一个真空开口的通道，使得支撑表面的剩余部分不凹入并被最深处的通道围绕形成至少一个与支撑表面保持共面的岛部，使得最深处的通道围绕包括不凹入的支撑表面的岛部。

4.如权利要求1所述的端部处理器，其中，所述至少一个真空端口包括至少一个压痕使得支撑表面的剩余部分不凹入，保持与支撑表面共面。

5.如权利要求1所述的端部处理器，其中，至少一个压痕中的每个可配置为具有不同的形状和尺寸。

6.如权利要求3所述的端部处理器，其中，所述至少一个通道构成连续的具气孔的凹槽，所述凹槽可配置不同的尺寸和形状。

7.如权利要求3所述的端部处理器，其中，所述至少一个岛部具有至少一个压痕，每个压痕具有位于其中的、并与至少一个真空源流体连通的至少一个真空开口。

8.如权利要求1所述的端部处理器，其中，至少一个真空端口包括至少一个真空端口的配置。

9.如权利要求8所述的端部处理器，其中，所述至少一个真空端口的配置包括重复一配置，所述配置包括在所述至少一个压痕中的至少一个岛部为同中心地向外，而使得所述至少一个岛部中第一个在空间上被设置在所述至少一个压痕的第一个内，并构成第一具气孔的凹槽，并进一步地在空间上被设置于所述至少一个岛部的较大的第二个中，所述至少一个岛部的第二个在空间上设置在所述至少一个压痕的较大的第二个中，并构成围绕所述第二岛部的第二具气孔的凹槽，依次类推，使得倒数第二个压痕及其岛部、和具气孔的凹槽将在空间上设置于位于较大的最终压痕中的较大的最终岛部，而构成围绕较大的最终岛部的最终具气孔的凹槽。

10.如权利要求8所述的端部处理器，其中，所述至少一个真空端口的配置包括重复一配置，所述配置包括同中心的向外的岛部内的压痕，使得第一压痕位于第一岛部内，并且第一压痕和第一岛部在空间上设置于第二较大的压痕内，依次类推，使得倒数第二个压痕和岛部将在空间上设置在较大的最终压痕内。

11.如权利要求7所述的端部处理器，其中，所述至少一个真空端口的配置由重复一配置而组成，所述配置包括设置在任何特定形状和尺寸岛部中的多个压痕，并同心的向外。

12.如权利要求1所述的端部处理器，其中，所述至少一个真空端口位于所述支撑基座部件上。

13.如权利要求1所述的端部处理器，其中，所述至少一个真空端口位于所述延伸部件上。

14.如权利要求1所述的端部处理器，其中，所述真空源包括第一真空源、第二真空源或后续真空源，每个第一真空源、第二真空源和后续真空源具有与所选的至少一个真空端口流体连通的不同真空力。

15.如权利要求14所述的端部处理器，其中，通过至少一个真空端口施加到薄膜框架上的真空力通过软件控制来调节。

16.一种处理薄膜框架的方法，包括：

提供与器械相配套的配套部分；

形成支撑部分以支撑所述支撑部分的支撑表面上的薄膜或薄膜框架；

为支撑部分提供支撑底座部分；

从支撑底座部分延伸出延伸部件；

提供至少一个真空端口的配置；

其中，所述至少一个真空端口的配置包括至少一个真空端口以分布吸力；

其中，所述至少一个真空端口由至少一个位于支撑部分的支撑表面的压痕组成；

设置至少一个真空开口与至少一个真空源流体连通，以用于为各个真空开口施加不同的吸力；

其中，所述压痕具有面积相对至少一个真空开口大的表面开口，从而当真空源激活时，增加所述薄膜与薄膜框架上施加的吸力，并且

配置所述至少一个真空端口的配置使得支撑部分的剩余表面不凹入，继续为支撑表面上的薄膜或薄膜框架提供直接支撑，由此在至少一个真空端口的配置在薄膜或薄膜框架上提供分布的放大吸力时，降低薄膜的变形和扭曲。